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本件、確認にお時間いただき申し訳ございません。
Vceに逆電圧を印可する場合、Datasheetに規定されております、Gate-emitter voltageの最大定格を超える可能性がございます。このようなケースではデバイスにダメージが入る可能性がございます。
そのため、ご使用される場合はダイオードや挿入やEC間にコンデンサを追加する等の対策を行い、逆電圧ができる限りかからないよう外部で対策する必要がございます。
また、IKW50N60H3に置かれましても、上記説明の耐圧を超えていないか、またダイオードの回生エネルギーが問題ない範囲であるかについて十分に検討ください。
何卒、よろしくお願いいたします。
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ご確認頂きまして誠にありがとう御座います。
本件ですが、何か情報は御座いますでしょうか?
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Vceに-30Vが10us程度かかった場合、IGBTの破壊等が無いか懸念されています。
-IGW50N60H3
逆並列ダイオードも無いため、Vceに-30Vをかけた場合どのようになりますか。
-IKW50N60H3
逆並列ダイオードの順方向への印加なので、問題はない認識です。
以上、宜しくお願いいたします。
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本件、確認にお時間いただき申し訳ございません。
Vceに逆電圧を印可する場合、Datasheetに規定されております、Gate-emitter voltageの最大定格を超える可能性がございます。このようなケースではデバイスにダメージが入る可能性がございます。
そのため、ご使用される場合はダイオードや挿入やEC間にコンデンサを追加する等の対策を行い、逆電圧ができる限りかからないよう外部で対策する必要がございます。
また、IKW50N60H3に置かれましても、上記説明の耐圧を超えていないか、またダイオードの回生エネルギーが問題ない範囲であるかについて十分に検討ください。
何卒、よろしくお願いいたします。
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ご回答頂きましてありがとう御座います。
ダイオードがあるからといい、Gate-emittr voltag制約があるため、むやみに逆電圧を印加してもよいわけでは無いのですね。
確認させて頂くようにいたします。