Dear Bellawu ，
在桥臂直通短路时，IGBT的表现通常表现为电流瞬间大幅度增加，然后在短时间内达到峰值，最终逐渐降低。这是由于IGBT的结构中包含了一个PN结，当瞬间施加的电压超过PN结的耐压时，电流就会瞬间增加。在这种情况下，IGBT需要承受非常高的电流和热量，所以在瞬间施加的电压下，IGBT上管电流会瞬间增加到非常高的水平，所以上管IGBT的Vce一直维持很低的电压。
相比之下，SiC MOSFET的桥臂直通短路表现通常是电流瞬间大幅度增加，但然后在很短的时间内就达到峰值并迅速降低。这是由于SiC MOSFET的结构中不包含PN结，所以在瞬间施加的电压下，电流不会瞬间增加到非常高的水平，所以SiC MOSFET上下管承受分压。
Best regards,
Rachel
