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IGBT Forum Discussions

chenzi
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IGBT L5饱和压降很低,它芯片最大电流是多少?可以并联吗?

 

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Jingwei
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您好,

感谢使用Infineon Community。

1.VCEsat 正温度系数,是并联IGBT的基本要求。举例可以看下图:

Jingwei_0-1644916429518.png

这是我们一款75A Ic的IGBT L5产品:IKZ75N65EL5,图中可以看到在负载为75A时,VCEsat的温度系数是正的,这时对IGBT并联的使用是有利的。因为温度高的芯片VCEsat也会变高,会分得较少得电流,因此形成了一个负反馈,使静态均流趋于收敛。

2. 开关特性上,L5开关速度比较慢,同样也有利于动态均流。

最大Ic目前对于L5芯片来说是75A,详细电流信息可以参考附件中得Datasheet

Steven

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Jingwei
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您好,

感谢使用Infineon Community。

1.VCEsat 正温度系数,是并联IGBT的基本要求。举例可以看下图:

Jingwei_0-1644916429518.png

这是我们一款75A Ic的IGBT L5产品:IKZ75N65EL5,图中可以看到在负载为75A时,VCEsat的温度系数是正的,这时对IGBT并联的使用是有利的。因为温度高的芯片VCEsat也会变高,会分得较少得电流,因此形成了一个负反馈,使静态均流趋于收敛。

2. 开关特性上,L5开关速度比较慢,同样也有利于动态均流。

最大Ic目前对于L5芯片来说是75A,详细电流信息可以参考附件中得Datasheet

Steven

chenzi
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温度特性很理想:在小电流时,芯片是负温度系数,降低损耗;标称电流以上正的温度系数有利于并联