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对于IGBT的开启和关闭延迟,是否有具体的推导公式? 例如,寄生电容器充电和放电之间的具体关系

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/IGBT/IGBT-activation-and-shutdown-process/td-p/656193

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亲爱的卢卡,

美好的一天!

 

IGBT 的开启瞬态与 MOSFET 的开启瞬态类似。 同时,IGBT 的关断瞬变与 MOSFET 具有不同的特性。

Hilal_Yahya_1-1702290153526.png

t_1、t_2 和 t_3 处的开启是根据固有电容计算得出的,如下所示:

Hilal_Yahya_2-1702290272764.png

 

IGBT 的关断瞬变与 MOSFET 的关断瞬态不同,因为存在尾电流是由于 IGBT 的固有特性造成的。 尾电流的大小和持续时间因IGBT的特定内在特性(例如掺杂浓度和漂移区域厚度)而异。

 

参考:

J. Baliga,载于《功率半导体器件基础知识》,施普林格,2019 年,第 437 页

 

最诚挚的问候,

希拉尔

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/IGBT/IGBT-activation-and-shutdown-process/m-p/657177

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亲爱的卢卡,

美好的一天。

 

感谢您在英飞凌开发者社区发帖。

我们正在处理你的问题。 请给我们一些时间。

 

最诚挚的问候,

希拉尔

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/IGBT/IGBT-activation-and-shutdown-process/m-p/656694

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亲爱的卢卡,

美好的一天!

 

IGBT 的开启瞬态与 MOSFET 的开启瞬态类似。 同时,IGBT 的关断瞬变与 MOSFET 具有不同的特性。

Hilal_Yahya_1-1702290153526.png

t_1、t_2 和 t_3 处的开启是根据固有电容计算得出的,如下所示:

Hilal_Yahya_2-1702290272764.png

 

IGBT 的关断瞬变与 MOSFET 的关断瞬态不同,因为存在尾电流是由于 IGBT 的固有特性造成的。 尾电流的大小和持续时间因IGBT的特定内在特性(例如掺杂浓度和漂移区域厚度)而异。

 

参考:

J. Baliga,载于《功率半导体器件基础知识》,施普林格,2019 年,第 437 页

 

最诚挚的问候,

希拉尔

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/IGBT/IGBT-activation-and-shutdown-process/m-p/657177

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