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IGBT单管,单独静态测试ICES这项时,同样的测试条件,为什么单独测ICES的漏电流会比测试全项时小很多

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Rachel_G
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您好,

我没有理解您指的测试全项的含义。Ices主要由器件本身的芯片技术和制造工艺决定,且这个值与击穿电压Vce有关。关于Ices的测试条件可以参考产品数据手册。

Best regards,

Rachel

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Rachel_G
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您好,

我没有理解您指的测试全项的含义。Ices主要由器件本身的芯片技术和制造工艺决定,且这个值与击穿电压Vce有关。关于Ices的测试条件可以参考产品数据手册。

Best regards,

Rachel

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