Announcements

The EV market is bigger and better than ever. Join the EV Webinar to find out how you could best utiilize IGBT for EVs.

Tip / Sign in to post questions, reply, level up, and achieve exciting badges. Know more

IGBT Forum Discussions

ZhaiL
Employee
Employee
10 sign-ins 10 questions asked 5 questions asked

什么是IGBT的退饱和(desaturation)?什么情况下IGBT会进入退饱和状态?

https://www.zhihu.com/question/367592197/answer/2798054273#comment-10382081200?notificationId=158572...

GaN HEMT的退饱和检测跟IGBT类似吧

0 Likes
1 Solution
喜马拉雅之雪
Employee

对于退饱和保护,为了排除误动作,通常会采用延时保护模式。对于IGBT;一般是延时1~2微秒。

对于GaN HEMT,很难这样操作。主要有两方面原因:

1) GaN HEMT是基于硅基的氮化镓膜结构晶体管,短路耐量通常在20nS。由于逻辑判断电路延时,很难在如此短时间完成检测并安全关断。

2)GaN器件开关速度极快,目前还没有非常好的器件能用于隔离高压同时;准确实时测量GaN HEMT压降。

基于这两个原因,GaN目前仅适于用在有自我限电路电流的拓扑,用峰值电流法做过流保护。

如反激拓扑、带LPF的桥拓扑等等。

互动有益,烦点个赞吧♥

View solution in original post

2 Replies
喜马拉雅之雪
Employee

对于IGBT,是MOSFET和GTR的组合体。从外部看,特性非常类似MOSFET或三极管。只是三极管基极电流换成了栅极电压。栅电压对电流的控制比;也就是栅极每变化1V所引起IGBT集电极可流过的最大电流变化量,我们称之为跨导。用S表示。假设IGBT开始导通的门槛电压为Vth。

那么;我们就可以获得IGBT可流过的最大集电极电流公式:Imax=(Vg-Vth)S

如果实际流过电流远小于该值,我们称为饱和导通。接近到70%;称之为进入退饱和状态。短路电流就是Imax。

0 Likes
喜马拉雅之雪
Employee

对于退饱和保护,为了排除误动作,通常会采用延时保护模式。对于IGBT;一般是延时1~2微秒。

对于GaN HEMT,很难这样操作。主要有两方面原因:

1) GaN HEMT是基于硅基的氮化镓膜结构晶体管,短路耐量通常在20nS。由于逻辑判断电路延时,很难在如此短时间完成检测并安全关断。

2)GaN器件开关速度极快,目前还没有非常好的器件能用于隔离高压同时;准确实时测量GaN HEMT压降。

基于这两个原因,GaN目前仅适于用在有自我限电路电流的拓扑,用峰值电流法做过流保护。

如反激拓扑、带LPF的桥拓扑等等。

互动有益,烦点个赞吧♥