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beimo_zhao
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FS3L40R07W2H5F_B11的IGBT模块建议选择哪些驱动芯片呢?需要考虑哪些因素呢?

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Rachel_G
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Hello  ,

在选择栅极驱动器时,一个重要的参数就是驱动器的最大峰值电流Ipeak。选择的驱动芯片的最大峰值电流应大于以下计算值,来保证足够的驱动能力。

该参数可以通过以下公式来进行估算:

Rachel_G_0-1711513311514.png

式中,

Ipeak: 为驱动器必须提供的峰值电流(A);

Vge,max:为用于开通IGBT的正栅极电压(V);

Vge,min:为用于关断IGBT的负栅极电压(V)或0;

Rgint:为IGBT内部的栅极电阻(Ω);

Rgext:为IGBT外部的栅极电阻(Ω)。

0.7为实际应用中计算峰值电流的校正因数。如果IGBT驱动器外部增加了栅-射极电容Cge_ext, 采取的近似方法是将这个电容等效为内部栅极电阻短路,即Rgint可设置为0。如果采用不同的栅极电阻Rgon和Rgoff, 那么所需的峰值电流由较小的电阻确定,然后再选择栅极驱动器。如果驱功芯片无法提供IGBT所需的电流,也可增加推挽电路,推挽电路的计算可参考如下文章IGBT驱动电流及驱动功率的计算

推荐可以应用于FS3L40R07W2H5F_B11的驱动芯片1ED3321MC12N,可以参考数据手册了解详细参数信息。

同时,也分享驱动芯片的选型指南供参考。

Best regards,

Rachel

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Rachel_G
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Hello  ,

在选择栅极驱动器时,一个重要的参数就是驱动器的最大峰值电流Ipeak。选择的驱动芯片的最大峰值电流应大于以下计算值,来保证足够的驱动能力。

该参数可以通过以下公式来进行估算:

Rachel_G_0-1711513311514.png

式中,

Ipeak: 为驱动器必须提供的峰值电流(A);

Vge,max:为用于开通IGBT的正栅极电压(V);

Vge,min:为用于关断IGBT的负栅极电压(V)或0;

Rgint:为IGBT内部的栅极电阻(Ω);

Rgext:为IGBT外部的栅极电阻(Ω)。

0.7为实际应用中计算峰值电流的校正因数。如果IGBT驱动器外部增加了栅-射极电容Cge_ext, 采取的近似方法是将这个电容等效为内部栅极电阻短路,即Rgint可设置为0。如果采用不同的栅极电阻Rgon和Rgoff, 那么所需的峰值电流由较小的电阻确定,然后再选择栅极驱动器。如果驱功芯片无法提供IGBT所需的电流,也可增加推挽电路,推挽电路的计算可参考如下文章IGBT驱动电流及驱动功率的计算

推荐可以应用于FS3L40R07W2H5F_B11的驱动芯片1ED3321MC12N,可以参考数据手册了解详细参数信息。

同时,也分享驱动芯片的选型指南供参考。

Best regards,

Rachel

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非常感谢您的回复,能否再问一下您我如何判断IGBT需要多大的驱动峰值电流呢?

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Rachel_G
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根据这个公式计算所需的峰值电流,然后去和驱动芯片数据手册中的Ipeak值进行对比。

Rachel_G_0-1711522694922.png

Best regards,

Rachel

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万分感谢,还想再问问您这种NC拓扑可以使用双通道驱动吗,还是只能用单通道驱动呢?

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Rachel_G
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双通道驱动是针对半桥拓扑的,这个是NPC1拓扑,建议使用单通道隔离驱动芯片。

Best regards,

Rachel

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