Aug 18, 2022
02:06 AM
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Aug 18, 2022
02:06 AM
您好 在选用该驱动芯片和IKW15N120H3设计驱动器时,观察Vge在开通或关断时存在过冲现象,这是由于IC驱动能力不足造成的吗?还是其他原因导致? 有什么改善方法?
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Aug 18, 2022
07:08 PM
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Aug 18, 2022
07:08 PM
Hi yang,
欢迎使用英飞凌社区提问。
IGBT 门极驱动的等效电路如下图所示:
IGBT 开通瞬间门极驱动回路相当于一个RLC串联回路,在开通瞬间IGBT输入电容相当于短路,门极电流Ig快速上升,快速的di/dt使得驱动回路的寄生电感产生感应电压,引起Vge产生电压尖峰。关断时产生的电压尖峰同理。
一般情况下,门极电阻越小,di/dt就会越大,产生的电压尖峰也会越高。
建议适当增大门极电阻,减慢开关时的di/dt;在PCB layout方面,尽量减小驱动回路的走线,从而减小驱动回路的寄生电感。
以上内容希望对您有所帮助,如有任何问题,欢迎提问!
Best regards,
Rachel
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Aug 18, 2022
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Hi yang,
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IGBT 开通瞬间门极驱动回路相当于一个RLC串联回路,在开通瞬间IGBT输入电容相当于短路,门极电流Ig快速上升,快速的di/dt使得驱动回路的寄生电感产生感应电压,引起Vge产生电压尖峰。关断时产生的电压尖峰同理。
一般情况下,门极电阻越小,di/dt就会越大,产生的电压尖峰也会越高。
建议适当增大门极电阻,减慢开关时的di/dt;在PCB layout方面,尽量减小驱动回路的走线,从而减小驱动回路的寄生电感。
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Best regards,
Rachel