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cross mob
yang
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您好 在选用该驱动芯片和IKW15N120H3设计驱动器时,观察Vge在开通或关断时存在过冲现象,这是由于IC驱动能力不足造成的吗?还是其他原因导致? 有什么改善方法?

yang_0-1660813546974.jpeg

 

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Rachel_G
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Hi 

欢迎使用英飞凌社区提问。

IGBT 门极驱动的等效电路如下图所示:

Rachel_Gao_0-1660873775181.jpeg

IGBT 开通瞬间门极驱动回路相当于一个RLC串联回路,在开通瞬间IGBT输入电容相当于短路,门极电流Ig快速上升,快速的di/dt使得驱动回路的寄生电感产生感应电压,引起Vge产生电压尖峰。关断时产生的电压尖峰同理。

一般情况下,门极电阻越小,di/dt就会越大,产生的电压尖峰也会越高。

建议适当增大门极电阻,减慢开关时的di/dt;在PCB layout方面,尽量减小驱动回路的走线,从而减小驱动回路的寄生电感。

以上内容希望对您有所帮助,如有任何问题,欢迎提问!

 

Best regards,

Rachel

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Rachel_G
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Hi 

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IGBT 门极驱动的等效电路如下图所示:

Rachel_Gao_0-1660873775181.jpeg

IGBT 开通瞬间门极驱动回路相当于一个RLC串联回路,在开通瞬间IGBT输入电容相当于短路,门极电流Ig快速上升,快速的di/dt使得驱动回路的寄生电感产生感应电压,引起Vge产生电压尖峰。关断时产生的电压尖峰同理。

一般情况下,门极电阻越小,di/dt就会越大,产生的电压尖峰也会越高。

建议适当增大门极电阻,减慢开关时的di/dt;在PCB layout方面,尽量减小驱动回路的走线,从而减小驱动回路的寄生电感。

以上内容希望对您有所帮助,如有任何问题,欢迎提问!

 

Best regards,

Rachel