空穴的移率比电子的移率低,是造成 IGBT 拖尾电流的本?可以么理解?

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空穴的移率比电子的移率低,是造成 IGBT 拖尾电流的本?可以么理解?

 

可能知道接下來:https://www.zhihu.com/question/41243061/answer/3180370762#comment-10724960351?notificationId=1705950...

1 解決方案
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你可以把它解決了。由于移動率低,P+ 區注入 N-的空穴需要更長和电子复合消失,致了尾电流。

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1 回應
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你可以把它解決了。由于移動率低,P+ 區注入 N-的空穴需要更長和电子复合消失,致了尾电流。

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