去饱和保护 - 1ED3461MC12M

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你好,

igbt 的大部分栅极EVAL_BDPS_DRIVER的去饱和阈值电压设置为 9v。 大多数 igbts 在 2.5 Vce 左右就能达到最大电流容量,而它的电压却只有 9 V,这其中有什么原因吗?. 根据 FS200R07PE4 的数据表,对于 15 V Vge 和 200A Ic,Vce sat 约为 2.5v。 如果我希望栅极EVAL_BDPS_DRIVER在集电极电流约为 400A 时切断栅极,我应该考虑什么是去饱和阈值电压

是否有任何文件或指南可用于选择消隐保护电路的最佳消隐时间

 

谢谢

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/Gate-Driver-ICs/Desat-protection-1ED3461MC12M/td-p/689459

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亲爱的@Sriram_07

来自英飞凌的问候。

首先,我们无法更改芯片内的 Desat 门限电压,因为它是默认值。

如果您想以极低的值进行 Desat 检测,如果系统应用中的噪声过大,也可能导致每次都进行错误检测。

因此,如果在 9V 电压下进行检测,就能在出现任何实际情况时提供可靠的检测。

我认为所提到的 IGBT 具有很好的短路额定值。

SivaBommadevara_0-1707296006543.png

如果您能通过配置 Tdesatfilter 时间(可能是< 5us 或<6us)检测到 SC 故障,这将足够强大。

SivaBommadevara_1-1707296214387.png

如上图所示,当 IGBT 接通时,有一个内部电流源将电流通过 Desat 与 Rdesat 和 Ddesat 一起泵至 VCE。

与此同时,如果同一 IGBT 出现 SC/ OL 状态,则其饱和电压会随着电流的上升而增加,从而导致 DESAT 引脚的电压水平升高,并触发 DESAT 门限。

例如:

如果 IC 400A 时 IGBT 饱和电压达到 2.9V,那么 Desat 引脚的电压水平为 VCESat + Vrdesat + Vfd desat。

 

希望你能得到答案。

 

谢谢。

最诚挚的问候,

Siva Naga Malleswararao。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/IGBT/Desat-protection-1ED3461MC12M/m-p/690948

在原帖中查看解决方案

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亲爱的@Sriram_07

来自英飞凌的问候。

失调检测输入,用于监控 IGBT 集电极-发射极电压 (VCE),以检测短路事件导致的失调
。 MULTICH_CONNECT_PCB通过串联保护连接到驱动 IGBT 的集电极
电阻和高压二极管。 DESAT 信号以 GND2 为基准。

1ED34x1Mc12M 系列(X3 模拟)的固定 DESAT 阈值电平通常为 9.18 V。 如果需要更低的阈值
,可以增大 DESAT 电阻。 较大的 DESAT 电阻值会降低 DESAT
的阈值电压。 阈值电压降低等于 DESAT 电流乘以 DESAT
电阻。
高精度内部电流源可将 DESAT 检测变化的影响降至最低。

SivaBommadevara_0-1707207345215.png

在前沿消隐时间之后,门EVAL_BDPS_DRIVER IC 强制 DESAT 电流进入外部
去饱和电路。 电流通常流经保护电阻器、快速高压二极管和 IGBT 的集电极-发射极通路
DESAT 引脚上的电压是该路径上的压降之和。
之和。
短路时,VCE 电压升高,导致 DESAT
二极管极性反转。 剩余的 DESAT 电流还会增加 DESAT 引脚的电压电平,并触发 DESAT
门限。 如果引脚电压电平在 DESAT 滤波器时间 tDESATfilter 的持续时间内保持在阈值以上,
门EVAL_BDPS_DRIVER IC 相应地注册 DESAT 事件和EVAL_2K4W_ACT_BRD_S7 。

越过 DESAT 门限、滤波和故障关断开始后的内部处理时间定义为
tDESATOUT。 故障关断期间栅极放电的持续时间定义为 tFLTOFFtot,取决于
软关断功能和栅极负载。

SivaBommadevara_1-1707207489802.png

 

ADJB 引脚配置 DESAT 前沿消隐时间和 DESAT 滤波时间:
ADJB 至 GND1 之间的电阻器设置 DESAT 前沿消隐时间和所使用的 DESAT 滤波器时间
DESAT 检测期间
• 使用 E96 电阻器系列中具有 1% 容差值的电阻器来实现准确的参数
配置
• 门EVAL_BDPS_DRIVER IC 在启动期间读取一次电阻值
• 将ADJB 连接到GND1 会禁止门EVAL_BDPS_DRIVER操作并停止启动序列
• 将ADJB 连接到VCC1 会禁用滤波,从而实现最短的响应时间

SivaBommadevara_2-1707207588950.pngSivaBommadevara_3-1707207601004.png

希望你能得到答案。

谢谢。

最诚挚的问候,

Siva Naga Malleswararao。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/IGBT/Desat-protection-1ED3461MC12M/m-p/690164

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你好,西瓦、

FS200 的 Vce vs Ic 图如下。 该设备的建议 Vce 饱和阈值是多少。 9 V 的阈值似乎太高了,或者在选择 Vce 饱和阈值时有什么标准可循。 TLE9243QK_BASE_BOARD在一些在线阅读中,我发现您可以选择 Vce 阈值电压作为集电极电流开始饱和的拐点,但我无法使用下图预测拐点。 该信息是否有效

谢谢

谨致问候 ,
Sriram

 

Sriram_07_0-1707210559383.png

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/IGBT/Desat-protection-1ED3461MC12M/m-p/690218

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亲爱的@Sriram_07

来自英飞凌的问候。

首先,我们无法更改芯片内的 Desat 门限电压,因为它是默认值。

如果您想以极低的值进行 Desat 检测,如果系统应用中的噪声过大,也可能导致每次都进行错误检测。

因此,如果在 9V 电压下进行检测,就能在出现任何实际情况时提供可靠的检测。

我认为所提到的 IGBT 具有很好的短路额定值。

SivaBommadevara_0-1707296006543.png

如果您能通过配置 Tdesatfilter 时间(可能是< 5us 或<6us)检测到 SC 故障,这将足够强大。

SivaBommadevara_1-1707296214387.png

如上图所示,当 IGBT 接通时,有一个内部电流源将电流通过 Desat 与 Rdesat 和 Ddesat 一起泵至 VCE。

与此同时,如果同一 IGBT 出现 SC/ OL 状态,则其饱和电压会随着电流的上升而增加,从而导致 DESAT 引脚的电压水平升高,并触发 DESAT 门限。

例如:

如果 IC 400A 时 IGBT 饱和电压达到 2.9V,那么 Desat 引脚的电压水平为 VCESat + Vrdesat + Vfd desat。

 

希望你能得到答案。

 

谢谢。

最诚挚的问候,

Siva Naga Malleswararao。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/IGBT/Desat-protection-1ED3461MC12M/m-p/690948

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