使用了英飞凌1200v IGBT与frd设计了半桥功率模组,动态测试时上桥igbt芯片关断失效,导致下桥igbt芯片同时失效,失效机理是什么?

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我司使用了英飞凌1200v IGBTfrd设计了半桥功率模组,动态测试时上桥igbt芯片关断失效,导致下桥igbt芯片同时失效,失效机理是什么?为什么下桥igbt芯片也会同时失效?

 

希望工程师回答,感谢 😀

 

 

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2 返答(返信)
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您好,

需要提供您的测试电路和测试条件,以及IGBT器件型号。

谢谢!

よろしくお願いいたします

レイチェル

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您好,

造成IGBT失效的原因有很多,比如过压,过流等,最根本的原因就是IGBT的结温超过IGBT的最大工作结温(Tvj,op)。首先需要检查您的设计电路和测试条件是否合理,然后通过检查IGBT的失效波形和做失效分析(FA)等方式进行分析。

よろしくお願いいたします

レイチェル

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