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尊敬的英凌公司工程序,圖 1 是我使用公司的 I POSIM 功率真件搭建的 IGBT 功率真模型,用三階-3 級 NPC1 拓,圖 2、圖 3 及圖 4 是真模型的具體,圖 5、图 6 是真果。

sunning__0-1704098502648.png

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6

以下是我在使用 IPOSIM 做真遇到的三個問題:

問題 1:在 I POSIM 真件的應用資料/冷卻條件界面,散熱器共有預先定義散熱片、用戶定義散熱片及固定散熱片溫度三型号可,我想知道三散散器型号在使用場景上有什么区?

問題 2:在我搭建的模型中,使用的是制風冷散的散射方式行散,但是在圖 6 的溫度波圖中可以看出,模的最高溫度达到了 120 以度,散效果不理想。我想通真果算出的功,但是里真的最高温超了期温度,那么图 5 里的耗功率可以用于算功率?

問題 3:如何使用圖 5 中的耗功率算个 IGBT 模的功率?

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/IGBT/IPOSIM/td-p/669030

1 解決方案
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你好

1. 下圖的紅色圈出來的地方,可以看到在各散器的說明

Rachel_G_0-1704159820725.png

Rachel_G_1-1704159858254.png

2、圖五中的耗耗功率就是功率用于算温升的,器件温 Tj 可以根公式算:Tj-Th=Ploss* (Rthjc+Rthch)。您的圖中真得到的溫升級果在模使用的安全范内的,中可以化散条件来小器件温升,真果可以作為考。

最好的問候,

瑞秋

 

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/IGBT/IPOSIM/m-p/669141

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1 回應
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你好

1. 下圖的紅色圈出來的地方,可以看到在各散器的說明

Rachel_G_0-1704159820725.png

Rachel_G_1-1704159858254.png

2、圖五中的耗耗功率就是功率用于算温升的,器件温 Tj 可以根公式算:Tj-Th=Ploss* (Rthjc+Rthch)。您的圖中真得到的溫升級果在模使用的安全范内的,中可以化散条件来小器件温升,真果可以作為考。

最好的問候,

瑞秋

 

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/IGBT/IPOSIM/m-p/669141

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