为什么IGBT和MOS的开通关断时间定义不同? Employee Bellawu Employee 十一月 25, 2022 01:05 AM 标记为新 加注书签 订阅 禁止 订阅 RSS 提要 Permalink 打印 报告不当内容 十一月 25, 2022 01:05 AM 跳至解决方案 已解决! 转到解答。 0 点赞 回复 订阅 1 解答 Re: 为什么IGBT和MOS的开通关断时间定义不同? Moderator yifei_y Moderator 十一月 27, 2022 11:09 PM 标记为新 加注书签 订阅 禁止 订阅 RSS 提要 Permalink 打印 报告不当内容 十一月 27, 2022 11:09 PM 跳至解决方案 两者的测试电路不同。 MOSFET的测试电路请见文档第10页,用的是阻性负载;IGBT的测试电路请见文档第18页,是感性负载。 在原帖中查看解决方案 0 点赞 回复 所有论坛主题 前一个主题 下一个主题 1 回复 Re: 为什么IGBT和MOS的开通关断时间定义不同? Moderator yifei_y Moderator 十一月 27, 2022 11:09 PM 标记为新 加注书签 订阅 禁止 订阅 RSS 提要 Permalink 打印 报告不当内容 十一月 27, 2022 11:09 PM 跳至解决方案 两者的测试电路不同。 MOSFET的测试电路请见文档第10页,用的是阻性负载;IGBT的测试电路请见文档第18页,是感性负载。 0 点赞 回复 发布回复