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50 sign-ins 5 replies posted 10 questions asked

粉丝在知乎文章英飞凌碳化硅晶圆处理黑科技——冷切割 的问题:

您好,我有一个疑问想请教一下,为什么要在背部减薄的时候切出来薄片,而不是直接切出来超薄的碳化硅晶片?谢谢~

链接为:https://zhuanlan.zhihu.com/p/631720143,希望工程师回答一下~

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Rachel_G
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您好,

根据文章内容我们已经了解:芯片制作过程包括晶圆切片,外延生长,芯片正面工艺和背部减薄等。英飞凌目前已经在晶锭的切片过程中开始试产冷切割技术,未来两年会继续把冷切割技术用到背部减薄工艺中去。

那么为什么需要背部减薄呢?在后道制程阶段,晶圆在后续划片、压焊和封装之前需要进行背面减薄加工以降低封装贴片高度,减小芯片封装体积,改善芯片的热扩散效率、电气性能、机械性能及减小划片的加工量。

谢谢!

Rachel

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2 Replies
Rachel_G
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您好,

根据文章内容我们已经了解:芯片制作过程包括晶圆切片,外延生长,芯片正面工艺和背部减薄等。英飞凌目前已经在晶锭的切片过程中开始试产冷切割技术,未来两年会继续把冷切割技术用到背部减薄工艺中去。

那么为什么需要背部减薄呢?在后道制程阶段,晶圆在后续划片、压焊和封装之前需要进行背面减薄加工以降低封装贴片高度,减小芯片封装体积,改善芯片的热扩散效率、电气性能、机械性能及减小划片的加工量。

谢谢!

Rachel

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