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cross mob
jsyloving
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0391950b4fb480fef36d2bb18e16b68.jpg7805739b581dd858db8c72a4cb6b444.png76b30a354f3dd04130d7022fc8df5b2.png您好, (1)目前的驱动芯片:1ED020I12-F2(2A),IGBT模块:FS3L50R07W2H3F_B11(650v,50A)工作环境是直流母线电压在300V,纯阻性负载功率1000w。 (2)但是在300V工作20s后,IGBT烧坏了。损坏情况如图,一共四处。这是因为什么?过压(电压选型的裕度应该够吧),过流?为什么会出现这种情况?会有哪些原因导致? (3)能推荐一下同样的封装的驱动芯片和IGBT吗?或者推荐一个过流值比较大的驱动芯片? 期待您的解答

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yifei_y
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D3反向耐压太小了。IGBT关断时母线电压反向施加在D3上,D3被击穿后高压会直接加到驱动芯片。请换一个高反向耐压二极管,至少和IGBT额定电压一样,比如650V/1A的快速二极管。

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Klaus_Ma
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Hello  ,

这次炸板是在这个讨论后,完成驱动电路排查后进行的么?

Klaus_Ma_0-1713754559801.png

 

https://community.infineon.com/t5/IGBT/%E9%A9%B1%E5%8A%A8%E8%8A%AF%E7%89%87%E5%8F%91%E7%83%AB%E4%B8%...

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您好,是的。我发现可能是我选择的驱动芯片和IGBT的等级。可能不支持我要求的工作环境300V,所以导致的炸板。现在我想找到一个合适的工作在300V的,1000w的驱动芯片和驱动管。

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yifei_y
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看起来不是IGBT模块和驱动芯片的选型的问题。IGBT烧坏后驱动芯片还是好的吗?D3的型号是什么?

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谢谢您的关注。

您觉的这个选型是可以承受我所说的工况是吗?

GBT坏了,驱动芯片也坏了。

D3选型是:SMAJ36CA,反向截断电压36V,这个是不是也太小了?D7选型是:MMSZ5236A_VR=6. 我觉得太小了,准备换成VR更大的稳压二极管。

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yifei_y
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D3反向耐压太小了。IGBT关断时母线电压反向施加在D3上,D3被击穿后高压会直接加到驱动芯片。请换一个高反向耐压二极管,至少和IGBT额定电压一样,比如650V/1A的快速二极管。

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好的,谢谢您。(1)我现在准备换成这个BYG23M。但是有个疑问,为什么之前上200V的时候,36V的反向电压,直流母线电压加在上面为啥没炸啊。(2)在退饱和电路上,电阻,有的是1K,有的是10K,这个会有什么影响吗?

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yifei_y
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之前问题贴里你提到驱动芯片发烫D7炸管,原因应该是D3被击穿,高压灌进驱动芯片和外围电路。Rdesat选1K就好,太大的话上面的压降对流经电流很敏感,造成desat误触发。

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