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Dear Supplier,
I am from Environmental team of Thales India, who is contacting for environmental information.
Attached is the declaration from INFINEON for non-inclusion of substances-of-concern.
As per the statement it seems like there could be presence of Ozone Depleting Substances (ODS) up to 1000 PPM.
Please specify the Ozone Depleting Substances if at all present in your products at any concentration.
Thank you in advance for your fast reply.
Best regards,
Vishwajith M
Senior Engineer - Environmental and Chemical Data
Thales India Engineering Centre
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Question: How do I install ModusToolbox™ software on Linux?
Answer: For Linux, the ModusToolbox™ tools package is provided via tar.gz file. Some users have found the installation process confusing because the current Infineon Developer Center webpage provides an "Install via Launcher" button. This is standard for all Infineon tools. However, since the Linux package is not an installer, the installation process requires several manual steps.
This KBA only provides instructions to install the ModusToolbox™ tools package on Linux, specifically Ubuntu. These instructions apply to the ModusToolbox™ version 3.0 tools package, and they are meant to clarify the current process. Refer also to the ModusToolbox™ tools package installation guide for additional details, such as system requirements, installing in a non-default location, etc.
For the next release of the tools package, the instructions will be consolidated and clarified further.
Step 1: Download the tar.gz file.
- The file can be downloaded from the Infineon website: https://softwaretools.infineon.com/tools/com.ifx.tb.tool.modustoolbox
- We recommend clicking the Download button instead of the Install via Launcher button.
Enter your user ID and password, or register for an account.
Note: If you use the Launcher tool, you will be asked to install that tool first. Then, you will need to open the Launcher tool to download the ModusToolbox™ tools package.
Step2: Extract the tar.gz file into ~/ModusToolbox.
- There are several ways to extract the tar.gz file; ensure the end result looks like this:
/home/<user>/ModusToolbox/
- If the files/folders were extracted into a different location, move them to ~/ModusToolbox.
Note: The Launcher tool extracts the files into /home/<user>/.local/share/Infineon_Technologies_AG/Infineon-Toolbox/Tools/ModusToolbox_<version>-linux-install/ModusToolbox/.
Step 3: Install prerequisites:
- Install the following packages for ModusToolbox™ software to operate correctly:
- diffutils
- git
- make
- coreutils
- perl
- python3
- libncurses5
- libusb-1.0-0
- libxcb-xinerama0
- Run the following command to install these packages:
sudo apt install diffutils git make coreutils perl python3 libncurses5 libusb-1.0-0 libxcb-xinerama0
Step 4: Run post-install scripts:
- Run the following scripts before running ModusToolbox™ software on your machine:
- OpenOCD: /home/<user>/ModusToolbox/tools_<version>/openocd/udev_rules/install_rules.sh
- AIROC™ Bluetooth® Boards: /home/<user>/ModusToolbox/tools_<version>/driver_media/install_rules.sh
- Firmware Loader: /home/<user>/ModusToolbox/tools_<version>/fw-loader/udev_rules/install_rules.sh
- Post-Install Script: /home/<user>/ModusToolbox/tools_<version>/modus-shell/postinstall
- IDC Registration Script: /home/<user>/ModusToolbox/tools_<version>/idc_registration-<version>.bash
At this point, installation is complete. Refer to the ModusToolbox™ tools package user guide for various instructions including how to create applications and how to build and program them.
Version: **
Due to very high-speed switching transients, practical power electronic switches are subjected to high dV/dt and di/dt. As the slopes of these transients increase, the voltage and current induced across the parasitic inductance/capacitance increase, which can sometimes damage the device and affect its performance.
Since these devices have a very short switching time and; therefore, faster voltage transition (dV/dt), it may result in induced voltage spikes. The voltage induced across the parasitic inductors will be . The influence of parasitic parameters on these power electronic switches is more serious due to the switching transients. For example, if the induced turn-on spike exceeds the Vth of the device, then the device will partially turn on for a brief period of time before the high-side MOSFET has fully turned off. With both the devices partially on, a high current can flow through the half-bridge, which can violate SOA limits and destroy one or both devices.
Figure 1 Representation of a MOSFET along with its parasitic lead inductance
See the device datasheet for more information. If it is not present in the datasheet, you can determine the lead inductance values from the device Spice Model:
- Search for your device on the Infineon website using the product part number.
- If you do not have the exact part number, go to Home > Product > Power > Products, and choose the required part from the available part numbers as shown in Figure 2.
Figure 2 Searching the product part number in Infineon website
- Go to the product page and scroll down for the design files, or click Design Support.
- Click Simulation Models and download the respective simulation model - MOSFET OptiMOS™ 40V N-Channel Spice (.lib file, Ex- StrongIRFET_40V_LTSpice.lib) as shown in Figure 3.
Figure 3 Searching for the Spice Model on the product page
- Open the downloaded file in any text editor tool (for example, WordPad or Notepad).
- Go to the sub circuit definition of the part number (L0, L1, or L3) and find the values for Ls (Source Inductance), Ld (Drain Inductance), and Lg (Gate Inductance) in the circuit definition. Press Ctrl+F and choose from the available inductance values.
Figure 5 Finding the lead inductance value
In the simulation model, while defining Ls, Ld, and Lg values, the effect of PCB tracks is also considered up to a certain extent, which depends on the length and width of the PCB track defined.
Is there a method to report Broken Links or outdated information?
While searching for information, I occasionally come across information that appears to have been corrupted, likely due to system changes.
One example is a link to a document that does NOT appear to be correct, though I'm guessing the link was correct at one time.
- "how to converter PSoC creator *.cysch file to MTB format ?!" @ https://community.infineon.com/t5/ModusToolbox-General/how-to-converter-PSoC-creator-cysch-file-to-MTB-format/td-p/352668 has a solution with a link named “PSoC Creator to Modustoolbox guide” which links to “ModusToolbox Smart I/O Configurator guide” with no mention of PSoC Creator.
- Converting a project from Creator to ModusToolbox @ https://community.infineon.com/t5/PSoC-6/Converting-a-project-from-Creator-to-ModusToolbox/td-p/288087 <== appears to have the correct link to the Porting Guide @ https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-PSoC_Creator_to_ModusToolbox_Porting_Guide-Software-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017e9124f2e30caa&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files&redirId=File_5_1452
Greg
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In this article, we will discuss the desaturation (DESAT) protection feature present in automotive gate drivers. The following diagrams illustrate how DESAT protection works.
Figure 1 Typical application example
Figure 1 shows the application example using Infineon’s third-generation galvanic isolated EiceDRIVER™ driving an IGBT. The driver is connected to the microcontroller on the primary side with various pins and their connections.
Figure 2 shows the internal structure of the DESAT pin. When the voltage at VCE pin exceeds the threshold, the NFLT logic is set low and the signal is detected by the microcontroller. The driver initiates a safe turn-off procedure to protect the switch. The DESAT pin has an internal clamping, which clamps DESAT to VDESATL when TOUT= low (negative secondary supply). The clamp is released after the DESAT blanking time is exceeded.
When an IGBT or MOSFET is completely on, it is said to be saturated; when it exceeds the maximum current ratings, it is known as over saturate which will eventually cause device failure. A desaturation protection circuit provides protection for power semiconductor switches (IGBT or MOSFETs) against such events. The power switch collector-emitter voltage, VCESAT, the voltage drop across the component, is monitored by the DESAT pin of the gate driver while the device issues a PWM ON command.
When there is a short circuit in an application and a very high current flows through the power semiconductor switch, it will go into the desaturation mode; hence, its VCESAT voltage will rise. A fault is detected by the gate driver (while the switch is on) once this VCESAT voltage goes above the internal desaturation fault detection threshold voltage, which is typically 9 V for IGBT and 6 V for SiC MOSFETs.
The following table shows the differences between SiC MOSFET and IGBT during DESAT detection:
Table 1 Differences between SiC MOSFET and IGBT during DESAT detection
Sr. No. |
DESAT detection with SiC MOSFET |
DESAT detection with IGBT |
1. |
DESAT threshold voltage: 6 V |
DESAT threshold voltage: 9 V |
2. |
|
Transfer characteristic
|
3. |
SiC MOSFET works in the linear region during normal operation. SiC MOSFET does not desaturate virtually . The desaturation level of the SiC MOSFET is much higher than the level of an IGBT when assuming an identical chip size for both components. |
IGBT typically works in the saturation region during a normal on state and hits the current limit very early. A desaturation protection circuit is usually adopted to sense the VCE and the IGBT needs to be shut down when VCE exceeds the preset voltage ratio. |
External components of the DESAT circuit:
The connection of the DESAT pin via three external components to the SiC/ IGBT module provides the following three functionalities:
- A resistor with a minimum value of 1 kΩ limits the current flowing through the DESAT diode if VCE is negative.
- A HV-diode protects the DESAT pin from high-voltages when the IGBT/ SiC MOSFET is turned off.
- A capacitor is used to define a filtering time together with the internal current source and to increase the robustness against false triggering of DESAT for short-term voltage peaks during runtime.
Related FAQs:
- What is blanking time in the DESAT circuit?
Blanking time (DESATBT) is the time taken to ensure no unintended tripping of the DESAT protection happens while turning on the IGBT / SiC MOSFET after the DESAT circuitry has been disabled for a short time period such that the collector voltage of the IGBT / SIC MOSFET falls below the threshold level.
The blanking time, together with the external filter and DESAT reaction time defines the minimum time required for the gate driver to detect the fault condition and to activate the DESAT protection. The filter time is defined by the internal charge current of ICHG = 500 μA (typically), DESAT threshold VDESATth, and an external blanking capacitor, CDESAT.
tblanking = VDESATth × CDESAT/ICHG
The external filter time can be further reduced by connecting an external connecting source on the DESAT pin or by connecting an external resistor between VCC and the DESAT pin.
- What is the minimum pulse required to trigger the DESAT function?
It depends strongly on external filtering components and the selected DESATBT. Generally, the DESAT detection will be triggered after passing VDESAT threshold followed by the DESAT blanking time.
- Can a Schottky diode be used as a DESAT diode?
Yes, a fast recovery diode or Schottky diode can also be used as a DESAT diode.
Version: **
While running the code in CM0+ core, note that IRQ0 and IRQ1 interrupts are reserved only for internal system calls; if interrupts are to be used in the code, use IRQ2 or IRQ3.
Refer to the “Nonvolatile memory programming” section of the TRAVEO™ T2G architecture TRM for more information.
Note: This KBA applies to the following series of TRAVEO™ T2G MCUs:
- CYT2 Series
- CYT3 Series
- CYT4 Series
Translated by: MS_19060803
Original KBA: Design of external passive components and layout measures to reduce Vgs ringing – KBA236326
ヴァージョン: **
1.ゲート電圧発振の原因と影響
ゲート電圧のリンギングまたは寄生振動は、誤ったターンオン、高い電力損失、およびデバイスへの損傷などにようなMOSFEで望ましくない動作を引き起こす可能性があります。
1.1 ゲート端子の発振源
- 共振回路:ゲート経路の寄生インダクタンスとスイッチングデバイスの入力容量(Cgd & Cgs)によって形成されます。
- ミラーコンデンサからのdv/dtフィードバック:Cgd を介してゲートに結合されるターンオフ時のVds振動。
- ソース浮遊インダクタンスからのdi/dtフィードバック:ドレイン電流のdi/dtが高いと、ソース端子の寄生インダクタンスがゲート電圧に反映されるため、ソースピンで発振が発生する可能性があります。
1.2 ゲートリンギングはどのようにデバイスに損傷を与える可能性がありますか?
スイッチング中、MOSFETは完全には均一ではありません。抵抗/容量ネットワークのため、ゲートパッドから離れたトレンチの切り替えに短い遅延が発生します。この遅延は、スイッチオンプロセスが正常である場合、つまり、ゲート電圧が高周波発振を伴わずにクリーンである場合、重要ではありません。
ただし、ゲート信号の振動によりゲート電圧は定期的にミラープラトー電圧を下回り、ゲートパッドから遠く離れたトレンチは、ミラープラトーを超えるゲート電圧に達しないため、適切にスイッチオンしません。ドレインからソースへの電流は、ゲートパッドとソースパッドの近くの部分的にオンになっているトレンチに流れ込みます。この不均一な分布は、局所的な加熱のためにゆっくりとデバイスの損傷につながります。
2.ゲート電圧の振動を抑える方法
これらの振動を抑える方法は2つあります。
- 寄生成分を最小限に抑える
- 外付け受動部品の使用
2.1 寄生成分を最小限に抑える
- ゲートおよびソース経路の寄生インダクタンスを最小限に抑える
- ゲート・ドライバ出力からデバイス端子までのトレースを短くして幅を広くする
- ゲートループの断面積を低く維持
- ゲート駆動経路でのビアの使用を回避するため、同じ層で電流経路への配線とリターン電流経路の両方を配線します。
- レイアウトをデカップリングすることにより、ゲートとドレイン間の寄生容量を最小限に抑えます
図1 MOSFETのゲート駆動ループの寄生要素
2.2 外部受動回路の使用
2.2.1 スイッチングデバイス全体のRCスナバ
スイッチングデバイス全体にRCスナバ回路を使用。たとえば、MOSFETのドレインからソースへの接続はVdsスパイクを減衰させます。 これにより、デバイスがオーバーシュートから保護され、Cgdを介したフィードバックによる発振が減少します。
2.2.2 外付けゲート抵抗の選別
Rgは主に、ゲートパスの寄生によって生じるリンギングを減衰させる役割を果たします。
- Rgの値を大きくすると、リンギングが過度に減衰しますが、スイッチング損失が大きくなります。一方、Rgの値を小さくすると、高速なスイッチングが可能になりますが、振動が減衰しVdsのオーバーシュートが発生する可能性があります。
- したがって、Qが0.5(臨界減衰)から1(減衰不足)の間にあるようにRgを選択することをお勧めします。 以下は、ほとんどの設計者がRgの値を取得するために従う実際的なアプローチです。
a.ドライバとスイッチの間に抵抗を接続せずにゲート発振周波数(fr)を測定する。
b.次のように寄生インダクタンス値を取得します。
c.0.5~1のQ値を提供できるRg値を計算します。
例:ゲート電圧が+15Vから-8Vの間でスイングし、ドライバーの電流制限が4A_source/2A_sinkの場合、最小R=11.5Ω。
したがって、Rg_ext=11.5–Rg_int–Rds_on_drv または
Rg_ext=11.5–Rg_int–Rds_off_drv のいずれか高い方。
iii) したがって、Rgはこれら2つの値の間で調整する必要があります。
Show LessTranslated by: NXTY_Yoshimura
Original KBA: For output current >1A, can I connect in parallel the ISOFACE™ output ports? (KA-01368)
DO(デジタル出力)ISOFACE™の8つの出力は、いずれも並列接続が可能で、より高い電流出力が得られます。並列接続された異なるチャンネル間で電流が非対称に共有される可能性があるため、診断の結果を評価する必要があります。
Show LessTranslated by: NXTY_Kanai
Original KBA: AURIX™ MCU: How to automatically refactor the code in AURIX™ Development Studio – KBA235992
バージョン:**
AURIX™ Development Studio (ADS) はさまざまな Eclipse™ 機能を継承しており、そのうちの1つはAutomatic Code Refactoringです。 これにより、定義済みの設定に従ってコードを自動的にフォーマットできます。
フォーマットする必要があるコードまたはファイルを選択し、Ctrl + Shift + F を押します。選択したコードまたはファイルは、下の図に示すようにリファクタリングされます。
フォーマット設定を変更するには、次の図に示すように、[Window] > [Preferences] > [C/C++] > [Code Style] > [Formatter] を選択します。
注意: このKBAはAURIX™ Development Studioに適用されます。
Show LessTranslated by: MS_19060803
Original KBA: EiceDRIVER gate driver IC: How to drive high side switch in half-bridge configuration – KBA236410
タイトル: EiceDRIVERゲートドライバIC:ハーフブリッジ構成でハイサイドスイッチを駆動する方法 – KBA236410
ヴァージョン: **
パルストランス(PT)を使用した絶縁技術を使用して、フローティングエミッタ/ソースポイントの問題を解決します。ハイサイドゲート電源には 1:1 絶縁トランスを使用します。
トランスには2つの巻線があり、したがって2つの別個のグランドがあるため、2次側のグランドは遷移点またはフローティング エミッタポイントに接続され、ゲート電圧(たとえば +15V)は1次側のグランドを基準とします。 この絶縁により、二次側のリファレンスが遷移するとき、一次側のゲート電圧への影響は見えないため、ブートストラップ回路は必要ありません。 この構成では、ハイサイドの絶縁トランスを除いて、トップとボトムのゲート ドライバは同じままです。
図1 ハーフブリッジ構成の絶縁トランス接続
この技術は一般に、DC動作電圧が非常に高い場合に好まれます。なぜなら、この絶縁技術は高電圧での大きなブートストラップ回路コンポーネントと比較してサイズが小さいためです。
欠点: 漏れインダクタンスが大きくなり、ゲート電圧の振動/リンギングが誘発されます。 このため、PTはSiCおよびGaNデバイスには推奨されませんが、IGBTやMOSFETにも使用できます。
絶縁トランスを選択する際の重要な考慮事項:
1.飽和を避けるために、コアの電圧時間積を確認してください。
2.トランスの漏れインダクタンスは、高い過渡ゲート電流による発振を避けるために、できる だけ低くする必要があります。さらに、トランスの一次側と二次側の間の寄生容量(結合容 量)は、共振(特に急速なデューティ サイクルの変化)とEMI/EMCを回避するために低くする必 要があります。
3.漏れインダクタンスの値が小さいことも、ゲート・ドライバ回路の時間遅延を減らすために 望ましいことです。
4.端子間の沿面距離と空間距離は、適切な動作に十分な大きさである必要があります。
5.必要に応じて、変圧器は端子間でフラッシュオーバーを引き起こす部分放電試験に合格する 必要があります。
6.コアの飽和を避けるために、デューティサイクルを最大50%に制限できます。コンデンサ、 抵抗、ダイオードなどの追加コンポーネントを選択して、この制限を回避してください。 これらの追加コンポーネントは、巻線の両端のDC電圧が飽和するのを防ぎます。
図2 RおよびCコンポーネントベースの分離技術の回路図
7.もう1つの制限は、巻線の絶縁やその他のクリアランスに大きなパッケージが必要なため、 トランスのサイズです。
8.CMTI(通常は10~30KV/µsec)または負の過渡振動を回避するために、過渡耐性はシステム要件 に従っている必要があります。
9.変圧器の仕様では、定格絶縁と短期絶縁(1分間、通常は5KVrms)を満たす必要があります。
PCB レイアウトを設計する際の重要な考慮事項:
1.トラックの長さと寄生容量を最小限に抑えて、不要な振動やグランドバウンスを回避 します。
2.ブートストラップコンデンサは、ドライバICピンの近くに配置する必要があります。
3.低周波信号トラックを高周波信号トラックの近くに配線しないでください。干渉を避ける ためにグランドループを避けてください。
4.端子間および一次側と二次側の間に寄生容量があります。高周波で操作すると、近くの信号 に干渉する可能性があります。したがって、制御または敏感な信号と変圧器の接続を平行に 保ち、互いにある程度の距離を保つか、信号を異なるPCB層に配置するようにしてくださ い。(PCBを使用している場合)
パルストランスとコアレストランスゲートドライバICソリューションの比較。