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Gate Driver ICs Forum Discussions

MS_19060803
Level 5
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Level 5

いつもお世話になっております。

テスト条件についてご教示願えないでしょうか?

(1) RBSDのテストコンディションVF1=4V、VF2=5Vはどこの電圧の事でしょうか?
  また、RBSDは抵抗と考えて問題ございませんでしょうか??

(2) IFBSDはVcc-VB=4Vに一定にした時の電流バラツキと考えて問題ございませんでしょうか?

(3) 内蔵ダイオードは一般的なダイオード特性の「温度上昇」にて「VF減少」と考えて
  問題ございませんでしょうか?

以上、よろしくお願いいたします。

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Pablo_EG
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MS 様

インフィニオンコミュニティをご利用頂き有難う御座います。

2ED21824S06Jの関する頂いた質問に回答させて頂きます:

(1)RBSDがダイナミック抵抗を表しております:
 RBSD=ΔV/ΔI=(5V-4V)/(IF2-IF1)

(2)IFBSDのmin maxはRBSD min maxで計算されます。
 IFBSDmax=4V/RBDSmin、IFBSDmin=4V/RBDSmax

(3)はい、ご理解の通りです。
 温度上昇でVFの減少が起こります。

宜しくお願い致します。
パブロ

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Pablo_EG
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MS 様

インフィニオンコミュニティをご利用頂き有難う御座います。

2ED21824S06Jの関する頂いた質問に回答させて頂きます:

(1)RBSDがダイナミック抵抗を表しております:
 RBSD=ΔV/ΔI=(5V-4V)/(IF2-IF1)

(2)IFBSDのmin maxはRBSD min maxで計算されます。
 IFBSDmax=4V/RBDSmin、IFBSDmin=4V/RBDSmax

(3)はい、ご理解の通りです。
 温度上昇でVFの減少が起こります。

宜しくお願い致します。
パブロ

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