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首先driver IC只负责给外接MOSFET提供驱动电压和电流,一般评估Vgs和Ig来确认driver IC是否合适,同时Vgs波形没有异常就说明MOSFET正常工作,需要考虑整个系统的硬件电路和软件控制。
另外,Uq指的是FOC控制中q轴上的电压矢量吗?
这是矢量是有调节上限的,当电机工作超过恒功率区时,转速继续升高会使得扭矩减小,即相电流减小,进入弱磁区。对于隐极电机来说,扭矩只与Isq成正比,如果需要进一步在此区间提升转速,一般采用MTPA控制。
因此建议确认此畸变 是否由于控制算法所引起
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你好,
产生相电流畸变的原因有很多种,比如直流母线电压的波动,调制算法的问题或者是电机工作状态的变化等等。
正弦电流的频率不等于功率器件的开关频率,我刚刚没有在你上传的原理图中看到芯片外围电路的设置问题。对于driver IC的评估需要上传畸变时MOSFET的Vgs和Vds波形,并提供开关频率。
另外我想知道这个畸变是在电流频率到达1k HZ以后周期性出现并且在低于1k HZ时就不会产生的吗?
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mos 的Vgs Vds 波形没有问题,开关频率40kHz SVPWM 调制,进一步测试发现与电流频率没有关系,而是当PI控制器的uq大约为0.75时会出现该现象,这是和控制有关吗?还是由于芯片的开通关断延迟太高导致进入芯片的非线性区?
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首先driver IC只负责给外接MOSFET提供驱动电压和电流,一般评估Vgs和Ig来确认driver IC是否合适,同时Vgs波形没有异常就说明MOSFET正常工作,需要考虑整个系统的硬件电路和软件控制。
另外,Uq指的是FOC控制中q轴上的电压矢量吗?
这是矢量是有调节上限的,当电机工作超过恒功率区时,转速继续升高会使得扭矩减小,即相电流减小,进入弱磁区。对于隐极电机来说,扭矩只与Isq成正比,如果需要进一步在此区间提升转速,一般采用MTPA控制。
因此建议确认此畸变 是否由于控制算法所引起