Gate Driver ICs Forum Discussions

[ZhangLi1]

您好！我想咨询一下关于开通延迟与上升时间的问题。

我使用的是贵公司1ED3322MC12N通过+15V/-8V双电源来驱动FS3L50R07W2H3F_B11  IGBT。我在1ED3322MC12N的数据手册上得知：

我在手册上得知：总开通时间（信号从IN+输入到IGBT栅极电压上升到80%）为tPDON+trisex。
但是，我在IGBT的手册上同样发现了这个参数：

请问我应该以哪个为基准确定总的开通时间？还是说我要把它们加起来？谢谢帮助！

[Rachel_Gao]

Hi  ZhangLi1，

IGBT的开通时间ton：是IGBT的td(on)和tr之和。IGBT的关断时间toff: 是IGBT的td(off)和tf之和。IGBT的开通时间和关断时间以IGBT的数据手册为参考。驱动芯片在发出驱动信号和传输过程中也存在延时和上升下降时间，如数据表所示，往往在计算死区时间时会考虑驱动芯片的传输时间。

推荐您一个AN关于IGBT datasheet 参数的说明文件，https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Discrete_IGBT_Datasheet_Explanation-AN-v01_00-EN.pdf?fileId=5...

关于IGBT的开关特性，可以参考AN的第16页。

Best regards,

Rachel

[ZhangLi1]

你好，谢谢你的回复，这非常有帮助性！
按照你的回答，如果我想要计算从驱动芯片IN+引脚收到高电平信号到IGBT开通90%这个过程的时间，我是不是需要将驱动芯片的延时与IGBT的延时及上升时间相加？这是否就是计算死区时间的部分过程？

[Rachel_Gao · Accepted solution]

Hi  ZhangLi1,

是的，需要额外考虑驱动芯片的延时时间和上升时间，驱动芯片的延时时间和IGBT的延时时间是两个不同的概念。关于死区时间的计算，请参考AN https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Deadtime_calculation_for_IGBT_modules-ApplicationNotes-v01_10...

Best regards,

Rachel

[ZhangLi1]

感谢你的回答！这解决了我的问题！

祝工作顺利