Tvj=25℃とTvj=175℃の両方でVFが最も低いです。 (ただし、富士はわずかに低いが、Rthj-cがかなり高いため、Infineonのダイオードの方がデバイスの熱は低くなる)。
Rthj-cが最も低いです。 (オンセミを除く、ただし純粋な2ピン・パッケージでない)。
ジャンクション温度が高くてもSiCの競合の中で最も高いサージ電流能力があります。（繰り返し電流及び、非繰り返し電流）。
純粋な2ピンダイオードのため最も幅広いポートフォリオを持っています。
Infineonは、データシートにアバランシェ耐量を記載していないが、これはターゲットアプリケーションでは必要ないためです。
Infineonは、2001年以来、SiCダイオードの量産を開始し、実証済みの高い生産能力を有しています。
