EiceDRIVER™ ゲートドライバIC:ハーフブリッジのハイサイドスイッチを駆動するためのデュアル＆シングルチャネル絶縁ソリューションのコンフィグレーション- KBA236402
KBA 236394の投稿に関して、以下に補足説明します。
この回路はガルバニック絶縁技術で構成されており、全ての複雑な回路を1チップに内蔵しています。この回路はパルストランスに比べ高速で、数アンペアのピーク電流を供給することができます。絶縁型ゲートドライバ ICは、図1に示すようなチャンネルゲートドライバICです。
図１ Isolated channel gate driver IC block diagram
インフィニオンは、コアレス・トランスフォーマー（CT）技術として知られる競争力のあるソリューションを提供し、必要なすべての機能を提供するとともに、スペースを節約します。2つのトランス・コイルを互いに近づけることで、十分な沿面距離と空間距離を確保し、コアを不要にします。このCT技術は、高電流駆動能力、高CMTI、低遅延であるため、高速スイッチングデバイス（高電圧MOSFET）に適しています。このうち、デュアルチャネルゲートドライバ（Dual Channel IC）は、高いCMTI（150 V/ns以上）を有し、GaNやSiCなどのデバイスの駆動に最適で堅牢なICです。短絡保護、不感時間制御、オーバーラップ保護などの機能を追加し、信頼性と柔軟性を高めています。また、ゲート経路の漏れインダクタンスが小さいため、ハイサイドスイッチの切り替え時に発生するノイズが少なくなっています。
図２ Dual channel isolated gate driver IC
絶縁型ゲートドライバにおいて、ハイサイド駆動にシングルチャンネル絶縁型ドライバを、ローサイド駆動に非絶縁型ドライバを使用してハーフブリッジを駆動する方法もあります。この構成は、機能絶縁のみを必要とするシステムで使用されます。ハーフブリッジ・ドライバ・ソリューションとしてのサイズは小さくなり、これによりスペースの制約がある場合に用いることができます。例えば、一次側からの駆動で強化絶縁を必要としないLLCコンバータに使用することができます。
図３ Single channel isolated gate driver IC solution
EiceDRIVER™ ゲートドライバIC:ハーフブリッジのハイサイドスイッチを駆動するためのデュアル＆シングルチャネル絶縁ソリューションのコンフィグレーション- KBA236402
KBA 236394の投稿に関して、以下に補足説明します。
この回路はガルバニック絶縁技術で構成されており、全ての複雑な回路を1チップに内蔵しています。この回路はパルストランスに比べ高速で、数アンペアのピーク電流を供給することができます。絶縁型ゲートドライバ ICは、図1に示すようなチャンネルゲートドライバICです。
図１ Isolated channel gate driver IC block diagram
インフィニオンは、コアレス・トランスフォーマー（CT）技術として知られる競争力のあるソリューションを提供し、必要なすべての機能を提供するとともに、スペースを節約します。2つのトランス・コイルを互いに近づけることで、十分な沿面距離と空間距離を確保し、コアを不要にします。このCT技術は、高電流駆動能力、高CMTI、低遅延であるため、高速スイッチングデバイス（高電圧MOSFET）に適しています。このうち、デュアルチャネルゲートドライバ（Dual Channel IC）は、高いCMTI（150 V/ns以上）を有し、GaNやSiCなどのデバイスの駆動に最適で堅牢なICです。短絡保護、不感時間制御、オーバーラップ保護などの機能を追加し、信頼性と柔軟性を高めています。また、ゲート経路の漏れインダクタンスが小さいため、ハイサイドスイッチの切り替え時に発生するノイズが少なくなっています。
図２ Dual channel isolated gate driver IC
絶縁型ゲートドライバにおいて、ハイサイド駆動にシングルチャンネル絶縁型ドライバを、ローサイド駆動に非絶縁型ドライバを使用してハーフブリッジを駆動する方法もあります。この構成は、機能絶縁のみを必要とするシステムで使用されます。ハーフブリッジ・ドライバ・ソリューションとしてのサイズは小さくなり、これによりスペースの制約がある場合に用いることができます。例えば、一次側からの駆動で強化絶縁を必要としないLLCコンバータに使用することができます。
図３ Single channel isolated gate driver IC solution
