Community Translations-Temperature Coefficient Characteristics of On-Resistance of IGBT Devices

[NXTY_Shibata]

Hi,  I'd like to translate the following document into Japanese.

https://community.infineon.com/t5/Knowledge-Base-Articles/Temperature-Coefficient-Characteristics-of...

Best Regards,

Hiroki Shibata

[Infineon_Team]

Hi Hiroki Shibata san,

Confirm to work on this KBA.

Thanks,
Bindu

[NXTY_Shibata · Accepted solution]

IGBTデバイスのオン抵抗の温度係数特性

Infineon IGBTデバイスのデータシートでは、IKW40N120H3データシートの8ページ目の図に示されているように、2つのカーブはそれぞれTj=25℃とTj=150℃ におけるゲート電圧(Vge)のコレクタ電流(Ic)依存性を示しています。

ゲート電圧 (Vge) が 9V を超えると、温度が上昇するにつれて IGBT デバイスのコレクタ電流 (Ic) が減少します。つまり、オン抵抗が増加し、オン抵抗 (Rdson) は正の温度係数になります。

ゲート電圧 (Vge) が 9V よりも低い間、IGBT デバイスのコレクタ電流 (Ic) は、温度が上昇するにつれて増加します。つまり、オン抵抗が減少し、オン抵抗 (Rdson) は負の温度係数になります。

ゲート電圧 (Vge) が 9V、つまり 2 つの曲線の交点のとき、この点を温度係数ゼロ点と呼びます。

通常、IGBTデバイス内部の局所ユニットの過熱により引き起こされる、過電流、IGBT デバイスの局所的なジャンクション温度の過熱、及び最終的にIGBT デバイスの故障につながる局所的なホットスポット形成を防ぐために、IGBT デバイスはオン状態抵抗の負の温度係数領域で動作することを避ける必要があります。

[IFX_Publisher2]

Hi  Hiroki Shibata san,

Confirmed to receive this KBA.

Thank you for your contribution.

Thanks,
Bindu