Tip / Sign in to post questions, reply, level up, and achieve exciting badges. Know more

Community Translations-1EDS5663H

NXTY_Shibata
Level 2
Level 2
5 replies posted First solution authored 5 questions asked

Hi, I want to translate the following article into Japanese, please confirm to my work.

https://community.infineon.com/t5/Knowledge-Base-Articles/Issue-of-1EDS5663H-with-long-dead-time/ta-...

Best Regards,

Hiroki Shibata

0 Likes
1 Solution

デッドタイムが長い1EDS5663Hの問題

症状

ゲートドライバ「1EDS5663H」を使用して、PSFB(Phase Shift Full Bridge) DC-DCコンバータで4つのGaNスイッチ「IGT60R070D1」を駆動します。

NXTY_Shibata_0-1672105361306.png

 

このコンバータを ZVS (ゼロ電圧スイッチング) 用に設計すると、デッドタイムが長い場合、Spice シミュレーションで予期せず FET がオンになることがあります。以下はGaNの駆動回路です。

NXTY_Shibata_1-1672105361322.png

 

診断

GaNドライバは、一般的なユニポーラおよびバイポーラドライバとは異なることに注意してください。高周波のV_GSの波形を以下に示します。

NXTY_Shibata_2-1672105361325.png

 

負のターンオフ電圧は、ドライバ電源の逆数である -V_DDO ではなく、「オフ」電圧 V_N です。

NXTY_Shibata_3-1672105361327.png

更に、この「オフ」電圧は、t1=Rt1*10.8pFで計算できる短い時間t1の間は残ります。これで、デモボードのデフォルト抵抗のt1が190nsであることがわかります。そして、この「負電圧時間」t1はデッドタイムよりも長くなければなりません。

明らかに、問題の原因は次のとおりです。デッドタイムがデフォルトのt1よりも長い場合、GaNが完全にオフになっていません。

解決

「負電圧時間」t1は、前述の式t1=Rt1*10.8pFを参照して、RC回路を使用してTNEG PINの抵抗を調整することによって設定できます。10.8pFはドライバIC内部のコンデンサ容量です。

シミュレーション回路をセットアップしてテストした後、TNEG PINの外部抵抗の適切な値を見つけることができます。

NXTY_Shibata_4-1672105361333.png

 

70nsから250nsの範囲のデッドタイムを持つ適応遅延の場合、少なくとも340nsのデッドタイムを満たす33k抵抗を TNEGピンに接続することをお勧めします。

NXTY_Shibata_5-1672105361337.png

 

最後に、重要な注意事項があります。「負電圧時間」t1は、TNEGピンの抵抗によって常に増加するとは限りません。シミュレーションでは最大値に達し、その後減少します。

View solution in original post

0 Likes
3 Replies
IFX_Publisher2
Community Manager
Community Manager
Community Manager
500 replies posted 100 sign-ins First comment on blog

Hi, Hiroki Shibata-san

Confirm to work this KBA.

Thanks,
Bindu

0 Likes

デッドタイムが長い1EDS5663Hの問題

症状

ゲートドライバ「1EDS5663H」を使用して、PSFB(Phase Shift Full Bridge) DC-DCコンバータで4つのGaNスイッチ「IGT60R070D1」を駆動します。

NXTY_Shibata_0-1672105361306.png

 

このコンバータを ZVS (ゼロ電圧スイッチング) 用に設計すると、デッドタイムが長い場合、Spice シミュレーションで予期せず FET がオンになることがあります。以下はGaNの駆動回路です。

NXTY_Shibata_1-1672105361322.png

 

診断

GaNドライバは、一般的なユニポーラおよびバイポーラドライバとは異なることに注意してください。高周波のV_GSの波形を以下に示します。

NXTY_Shibata_2-1672105361325.png

 

負のターンオフ電圧は、ドライバ電源の逆数である -V_DDO ではなく、「オフ」電圧 V_N です。

NXTY_Shibata_3-1672105361327.png

更に、この「オフ」電圧は、t1=Rt1*10.8pFで計算できる短い時間t1の間は残ります。これで、デモボードのデフォルト抵抗のt1が190nsであることがわかります。そして、この「負電圧時間」t1はデッドタイムよりも長くなければなりません。

明らかに、問題の原因は次のとおりです。デッドタイムがデフォルトのt1よりも長い場合、GaNが完全にオフになっていません。

解決

「負電圧時間」t1は、前述の式t1=Rt1*10.8pFを参照して、RC回路を使用してTNEG PINの抵抗を調整することによって設定できます。10.8pFはドライバIC内部のコンデンサ容量です。

シミュレーション回路をセットアップしてテストした後、TNEG PINの外部抵抗の適切な値を見つけることができます。

NXTY_Shibata_4-1672105361333.png

 

70nsから250nsの範囲のデッドタイムを持つ適応遅延の場合、少なくとも340nsのデッドタイムを満たす33k抵抗を TNEGピンに接続することをお勧めします。

NXTY_Shibata_5-1672105361337.png

 

最後に、重要な注意事項があります。「負電圧時間」t1は、TNEGピンの抵抗によって常に増加するとは限りません。シミュレーションでは最大値に達し、その後減少します。

0 Likes
IFX_Publisher2
Community Manager
Community Manager
Community Manager
500 replies posted 100 sign-ins First comment on blog

Hi, Hiroki Shibata san,

 


Confirmed to receive this KBA.

Thank you for your contribution.

Thanks,
Bindu

0 Likes