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Hi, I want to translate the following article into Japanese, please confirm to my work.
Best Regards,
Hiroki Shibata
Solved! Go to Solution.
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1EDS5663H
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デッドタイムが長い1EDS5663Hの問題
症状
ゲートドライバ「1EDS5663H」を使用して、PSFB(Phase Shift Full Bridge) DC-DCコンバータで4つのGaNスイッチ「IGT60R070D1」を駆動します。
このコンバータを ZVS (ゼロ電圧スイッチング) 用に設計すると、デッドタイムが長い場合、Spice シミュレーションで予期せず FET がオンになることがあります。以下はGaNの駆動回路です。
診断
GaNドライバは、一般的なユニポーラおよびバイポーラドライバとは異なることに注意してください。高周波のV_GSの波形を以下に示します。
負のターンオフ電圧は、ドライバ電源の逆数である -V_DDO ではなく、「オフ」電圧 V_N です。
更に、この「オフ」電圧は、t1=Rt1*10.8pFで計算できる短い時間t1の間は残ります。これで、デモボードのデフォルト抵抗のt1が190nsであることがわかります。そして、この「負電圧時間」t1はデッドタイムよりも長くなければなりません。
明らかに、問題の原因は次のとおりです。デッドタイムがデフォルトのt1よりも長い場合、GaNが完全にオフになっていません。
解決
「負電圧時間」t1は、前述の式t1=Rt1*10.8pFを参照して、RC回路を使用してTNEG PINの抵抗を調整することによって設定できます。10.8pFはドライバIC内部のコンデンサ容量です。
シミュレーション回路をセットアップしてテストした後、TNEG PINの外部抵抗の適切な値を見つけることができます。
70nsから250nsの範囲のデッドタイムを持つ適応遅延の場合、少なくとも340nsのデッドタイムを満たす33k抵抗を TNEGピンに接続することをお勧めします。
最後に、重要な注意事項があります。「負電圧時間」t1は、TNEGピンの抵抗によって常に増加するとは限りません。シミュレーションでは最大値に達し、その後減少します。
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Hi, Hiroki Shibata-san
Confirm to work this KBA.
Thanks,
Bindu
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デッドタイムが長い1EDS5663Hの問題
症状
ゲートドライバ「1EDS5663H」を使用して、PSFB(Phase Shift Full Bridge) DC-DCコンバータで4つのGaNスイッチ「IGT60R070D1」を駆動します。
このコンバータを ZVS (ゼロ電圧スイッチング) 用に設計すると、デッドタイムが長い場合、Spice シミュレーションで予期せず FET がオンになることがあります。以下はGaNの駆動回路です。
診断
GaNドライバは、一般的なユニポーラおよびバイポーラドライバとは異なることに注意してください。高周波のV_GSの波形を以下に示します。
負のターンオフ電圧は、ドライバ電源の逆数である -V_DDO ではなく、「オフ」電圧 V_N です。
更に、この「オフ」電圧は、t1=Rt1*10.8pFで計算できる短い時間t1の間は残ります。これで、デモボードのデフォルト抵抗のt1が190nsであることがわかります。そして、この「負電圧時間」t1はデッドタイムよりも長くなければなりません。
明らかに、問題の原因は次のとおりです。デッドタイムがデフォルトのt1よりも長い場合、GaNが完全にオフになっていません。
解決
「負電圧時間」t1は、前述の式t1=Rt1*10.8pFを参照して、RC回路を使用してTNEG PINの抵抗を調整することによって設定できます。10.8pFはドライバIC内部のコンデンサ容量です。
シミュレーション回路をセットアップしてテストした後、TNEG PINの外部抵抗の適切な値を見つけることができます。
70nsから250nsの範囲のデッドタイムを持つ適応遅延の場合、少なくとも340nsのデッドタイムを満たす33k抵抗を TNEGピンに接続することをお勧めします。
最後に、重要な注意事項があります。「負電圧時間」t1は、TNEGピンの抵抗によって常に増加するとは限りません。シミュレーションでは最大値に達し、その後減少します。
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Hi, Hiroki Shibata san,
Confirmed to receive this KBA.
Thank you for your contribution.
Thanks,
Bindu