Community Translations-1EDS5663H

Tip / Sign in to post questions, reply, level up, and achieve exciting badges. Know more

cross mob
NXTY_Shibata
Level 4
Level 4
Distributor - NEXTY (Japan)
First like received 50 sign-ins 10 solutions authored

Hi, I want to translate the following article into Japanese, please confirm to my work.

https://community.infineon.com/t5/Knowledge-Base-Articles/Issue-of-1EDS5663H-with-long-dead-time/ta-...

Best Regards,

Hiroki Shibata

0 Likes
1 Solution
NXTY_Shibata
Level 4
Level 4
Distributor - NEXTY (Japan)
First like received 50 sign-ins 10 solutions authored

デッドタイムが長い1EDS5663Hの問題

症状

ゲートドライバ「1EDS5663H」を使用して、PSFB(Phase Shift Full Bridge) DC-DCコンバータで4つのGaNスイッチ「IGT60R070D1」を駆動します。

NXTY_Shibata_0-1672105361306.png

 

このコンバータを ZVS (ゼロ電圧スイッチング) 用に設計すると、デッドタイムが長い場合、Spice シミュレーションで予期せず FET がオンになることがあります。以下はGaNの駆動回路です。

NXTY_Shibata_1-1672105361322.png

 

診断

GaNドライバは、一般的なユニポーラおよびバイポーラドライバとは異なることに注意してください。高周波のV_GSの波形を以下に示します。

NXTY_Shibata_2-1672105361325.png

 

負のターンオフ電圧は、ドライバ電源の逆数である -V_DDO ではなく、「オフ」電圧 V_N です。

NXTY_Shibata_3-1672105361327.png

更に、この「オフ」電圧は、t1=Rt1*10.8pFで計算できる短い時間t1の間は残ります。これで、デモボードのデフォルト抵抗のt1が190nsであることがわかります。そして、この「負電圧時間」t1はデッドタイムよりも長くなければなりません。

明らかに、問題の原因は次のとおりです。デッドタイムがデフォルトのt1よりも長い場合、GaNが完全にオフになっていません。

解決

「負電圧時間」t1は、前述の式t1=Rt1*10.8pFを参照して、RC回路を使用してTNEG PINの抵抗を調整することによって設定できます。10.8pFはドライバIC内部のコンデンサ容量です。

シミュレーション回路をセットアップしてテストした後、TNEG PINの外部抵抗の適切な値を見つけることができます。

NXTY_Shibata_4-1672105361333.png

 

70nsから250nsの範囲のデッドタイムを持つ適応遅延の場合、少なくとも340nsのデッドタイムを満たす33k抵抗を TNEGピンに接続することをお勧めします。

NXTY_Shibata_5-1672105361337.png

 

最後に、重要な注意事項があります。「負電圧時間」t1は、TNEGピンの抵抗によって常に増加するとは限りません。シミュレーションでは最大値に達し、その後減少します。

View solution in original post

0 Likes
3 Replies
IFX_Publisher2
Community Manager
Community Manager
Community Manager
1000 replies posted First like given 750 replies posted

Hi, Hiroki Shibata-san

Confirm to work this KBA.

Thanks,
Bindu

0 Likes
NXTY_Shibata
Level 4
Level 4
Distributor - NEXTY (Japan)
First like received 50 sign-ins 10 solutions authored

デッドタイムが長い1EDS5663Hの問題

症状

ゲートドライバ「1EDS5663H」を使用して、PSFB(Phase Shift Full Bridge) DC-DCコンバータで4つのGaNスイッチ「IGT60R070D1」を駆動します。

NXTY_Shibata_0-1672105361306.png

 

このコンバータを ZVS (ゼロ電圧スイッチング) 用に設計すると、デッドタイムが長い場合、Spice シミュレーションで予期せず FET がオンになることがあります。以下はGaNの駆動回路です。

NXTY_Shibata_1-1672105361322.png

 

診断

GaNドライバは、一般的なユニポーラおよびバイポーラドライバとは異なることに注意してください。高周波のV_GSの波形を以下に示します。

NXTY_Shibata_2-1672105361325.png

 

負のターンオフ電圧は、ドライバ電源の逆数である -V_DDO ではなく、「オフ」電圧 V_N です。

NXTY_Shibata_3-1672105361327.png

更に、この「オフ」電圧は、t1=Rt1*10.8pFで計算できる短い時間t1の間は残ります。これで、デモボードのデフォルト抵抗のt1が190nsであることがわかります。そして、この「負電圧時間」t1はデッドタイムよりも長くなければなりません。

明らかに、問題の原因は次のとおりです。デッドタイムがデフォルトのt1よりも長い場合、GaNが完全にオフになっていません。

解決

「負電圧時間」t1は、前述の式t1=Rt1*10.8pFを参照して、RC回路を使用してTNEG PINの抵抗を調整することによって設定できます。10.8pFはドライバIC内部のコンデンサ容量です。

シミュレーション回路をセットアップしてテストした後、TNEG PINの外部抵抗の適切な値を見つけることができます。

NXTY_Shibata_4-1672105361333.png

 

70nsから250nsの範囲のデッドタイムを持つ適応遅延の場合、少なくとも340nsのデッドタイムを満たす33k抵抗を TNEGピンに接続することをお勧めします。

NXTY_Shibata_5-1672105361337.png

 

最後に、重要な注意事項があります。「負電圧時間」t1は、TNEGピンの抵抗によって常に増加するとは限りません。シミュレーションでは最大値に達し、その後減少します。

0 Likes
IFX_Publisher2
Community Manager
Community Manager
Community Manager
1000 replies posted First like given 750 replies posted

Hi, Hiroki Shibata san,

 


Confirmed to receive this KBA.

Thank you for your contribution.

Thanks,
Bindu

0 Likes