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Community Translations

KaKi_1384211
Honored Contributor

Hi Jenna-san,

I want to translate the following KBA into Japanese, please confirm to my work.

clarify tSCE

Thanks andregards,

Kiku

0 Likes
2 Replies
JennaJo
Moderator
Moderator

Hi, Kiku-san

Confirm to work this KBA.

Thanks,

Jenna

Jenna Jo
0 Likes
KaKi_1384211
Honored Contributor

Hi Jenna-san,

Thank you for your confirmation.

I have translated the following KBA to Japanese.

clarify tSCE

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【タイトル】

tSCEの明確化

【質問】

Micropower SRAMはデバイスがスタンバイ状態からウェィクアップする時、書き込み時間はtSCEによってのみ決定しますか?

【回答】

はい。データをメモリセルに書き込むために必要な最小の/WEパルスは、書き込みパルス幅(tPWE) と呼ばれます。

このパラメータはメモリを書き込むために、書き込み有効化回路がデータ入力ドライバを内部パスに接続するスピードによって決まります。

さらに、このパラメータは書き込み動作が完了するスピードにも影響を与えます。

従って、動作には下記4つの可能性があります。

  1. /WEで書き込み開始、/WEで終了
  2. /CEで書き込み開始、/CEで終了(tSCE)
  3. /WEで書き込み開始、/CEで終了
  4. /CEで書き込み開始、/WEで終了(tSCE)

従って、デバイスがスタンバイ状態からウェイクアップ後、/CEによって書き込みが開始された場合(上記24のケース)

tSCEは書き込み時間を制御するパラメータになります。

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Thanks and regards,

Kiku

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