Community Translation - Naming conventions of different series of MOSFETs – KBA237034

[MS_19060803]

Hi,

I want to translate KBA237034 into Japanese, please confirm to my work.

https://community.infineon.com/t5/Knowledge-Base-Articles/Naming-conventions-of-different-series-of-...

Thanks,
Shuji Morita

[IFX_Publisher2]

Hi Shuji Morita san,

Confirm to work on this KBA.

Thanks ,
Bindu

[MS_19060803 · Accepted solution]

Hi Bindu-san,

Thank you for your confirmation
I have translated KBA237034 to Japanese.

_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/

Original KBA: KBA237034

タイトル: さまざまなシリーズのMOSFETの命名規則- KBA237034

ヴァージョン： **

このKBAでは、InfineonのシリコンおよびGaNベースのMOSFETの命名規則について説明します。

シリコンベースのMOSFET

• 2015年5月から2019年5月までのLow-voltage MOSFET：20V～30 V MOSFETの命名規則

- OptiMOS™

- OptiMOS™ 30V

- StrongIRFET™

• 2019年5月からのOptiMOS™、OptiMOS™30 V、およびStrongIRFET™の命名規則

• CoolMOS™high-power MOSFET：500V～950V MOSFETの2015年9月までの命名規則

• 2015年10月からの命名規則

• Automotive MOSFETの場合

- SFET1からSFET4(OptiMOS™-T2)テクノロジーに基づくMOSFETの命名規則

- OptiMOS™5から導入された新しい命名規則：

- 2020年以降、新製品にはその部品の現在の機能を示さずに名前が付けられています。OptiMOS™5以降では、この新しいルールは2020年以降に導入されたすべての製品には使用されません。

• Wide bandgap devicesの場合
• CoolGaN™ GIT HEMT

- CoolGaN™ IPS

- CoolSiC™ MOSFET

- CoolSiC™ Schottky G2 and G3 diode

 -  CoolSiC™ Schottky G5 and G6 diode

_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/_/

Thanks,
Shuji Morita

[IFX_Publisher2]

Hi Shuji Morita  san,

Confirmed to receive this KBA.

Thank you for your contribution.

Thanks,
Bindu

[IFX_Publisher2]

Hi Shuji Morita  san,

Confirmed to receive this KBA.

Thank you for your contribution.

Thanks,
Bindu