Community Translation – IR38060/2/3/4 and IR38163/4/5 series: FAQ - KBA237292

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YuMa_1534086
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Dear supporter

 

I want to translate the following KBA(KBA237292), please confirm to my work.

 

https://community.infineon.com/t5/Knowledge-Base-Articles/IR38060-2-3-4-and-IR38163-4-5-series-FAQ-K...

 

Best Regards.

YuMa

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YuMa_1534086
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Hi Bindu-san.

 

I translated KBA(KBA237292).

Please check whether this translation is correct?

 

 

==================================================

IR38060/2/3/4およびIR38163/4/5シリーズ: FAQ - KBA237292

 

  1.パワーグッド(PGood)ピンにはどのプルアップを使用すればよいですか?

 

PGoodは0.5V5mAを供給できるオープンドレインピンです。

ピンの電圧を電源電圧(VCC)よりも高くしてPGoodにバックバイアスを与えないでください。

分圧器を使用してPGoodピンの電圧を低く保ちます。

ピン電流が5mAを超えないようにプルアップ電圧と抵抗の値を調整します。

VCC UVLO前の電源電圧を500mV未満に制限する必要がある場合はデータシートで推奨されているように49.9Kプルアップを使用します。それ以外の場合では4.99Kプルアップで十分です。

 

  2.デジタルモードでPMBus / I2C アドレスを設定するにはどうすればよいですか?

 

ベースアドレスとオフセット[0x00から0x0F]の合計でPMBus / I2C アドレスが決まります。

ベースアドレスはワンタイムプログラマブルメモリ(OTP)に保存されます。

ベースアドレスはICの動作中に変更できますが、PMBus / I2C通信ではアドレスを更新する必要があります。

ADDRピンの抵抗によってオフセットが決まります。

 

アドレスオフセットを無効にしてベースアドレスのみを表示することができます。

PMBusとI2Cベースアドレスは変更できます。

PMBusベースアドレス[デフォルト:0x40h] はレジスタ 0x20[6:0] に格納され、I2Cベースアドレス[デフォルト:0x10h] 0x21 [6:0] に格納されます。

 

要求するオフセットの抵抗値を決定するには表1を参照してください。

200µsの間、100µAADDRの抵抗に供給されます。

200µs後の電圧によって抵抗値/オフセットが決まります。

 

ADDRの抵抗と並列にコンデンサを使用しないでください。使用する場合、最終電圧に到達するために値を小さくする必要があります。

ADDRピンのアドレス抵抗とコンデンサを並列にしないでください。

 

表1 アドレスオフセット

抵抗 [Ω]

アドレスオフセット [0xh]

499

0x0

1050

0x1

1540

0x2

2050

0x3

2610

0x4

3240

0x5

3830

0x6

4530

0x7

5230

0x8

6040

0x9

6980

0xA

7870

0xB

8870

0xC

9760

0xD

10700

0xE

11800

0xF

 

          

  3.IR38163/6/6SVIDアドレスを変更するにはどうすればよいですか?

 

SVIDアドレスはレジスタ 0x74[3:0] で変更できます。ADDRピンのオフセットはSVIDアドレスには適用されません。

 

  4.IR38060/2/3/4OTPセクションを変更するにはどうすればよいですか?

 

USER、MFRTRIMの3つのOTPセクションを変更できます。

 

 ・USER: これは一般的に設定されるセクションであり簡単に変更できます。Multiple Device ProgrammerPMBUSコマンドを使用しPowIR Center GUIを利用することでプログラムできます。
 ・Manufacturer MFR): このセクションは通常は変更されません。MFRセクションをプログラムするにはプログラミングガイドのポインタを参照してください。
 ・TRIM: このセクションは変更しないでください。

 

PowIR Center GUI

 

図1に示すようにPowIR Center GUIMultiple Device Programmerのアイコンを使用してUSERMFRのセクションをプログラムします。

 

YuMa_1534086_0-1687139642573.png

図1 PowIR Center GUI

 

プログラミングの手順については図2の右側のパネルの説明を参照してください。

YuMa_1534086_1-1687139674228.png

図2 プログラミングの手順

 

PMBusコマンド: STORE_USER_ALL

 

STORE_USER_ALLコマンドを使用すると、オペレーティングメモリレジスタのUSERセクションの内容全体を不揮発性マルチタイムプログラマブルメモリ(MTP)内の一致する場所にコピーできます。

YuMa_1534086_2-1687139717105.png

図3 PMBusコマンド

 

  5.外部バイアス電圧を使用する場合、IR38060/2/3/4に適用できるPVinおよびバイアス電圧範囲はどれくらいですか?

 

IR38060/2/3/4の部品は2つのモードで動作します:

 

内部LDO(バイアス)を使用したシングルレール動作
 このモードでは1つの入力電源でデバイスに電力を供給できます。
 PVinVinピンを短絡し、VccピンでLDOの出力を引き出し、10μFのデカップリングコンデンサで出力をシステムの電源グランドにバイパスします。
 このモードではデバイスは次の入力電圧範囲で動作します。
 IR38064/63/62     5.3 Vから21 VFsw = 600 kHz      および 5.5 Vから21 VFsw = 1.5 MHz
 IR38060:             5.3 Vから16 VFsw = 600 kHz      および 5.5 Vから16 VFsw = 1.5 MHz

Vバイアスでのシングルレール動作
 このモードではVinVccが接続され通常5.1Vの外部バイアス電源が使用されます。
 これにより動作バス電圧(PVin)範囲をIR38064/63/62の場合は1.2 Vから21 Vに、IR38060の場合は1.2 Vから16 Vに拡張することができます。

 

注: PVinの範囲は最大21 Vまでですが、PVinが高すぎるとSWスパイクが絶対最大値を超えてしまうため、推奨動作条件ではPVin16 Vに制限されています。

問題を部分的に解決するには0Ωから2Ωの値でRbootを使用することです。ただし、この設定では電力損失も増加します。

 

参考資料: デバイスのデータシート

==================================================

 

 

Best Regards.

YuMa

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Hi YuMa san,

Confirm to work on this KBA.

Thanks,
Bindu

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Hi Bindu-san.

 

I translated KBA(KBA237292).

Please check whether this translation is correct?

 

 

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IR38060/2/3/4およびIR38163/4/5シリーズ: FAQ - KBA237292

 

  1.パワーグッド(PGood)ピンにはどのプルアップを使用すればよいですか?

 

PGoodは0.5V5mAを供給できるオープンドレインピンです。

ピンの電圧を電源電圧(VCC)よりも高くしてPGoodにバックバイアスを与えないでください。

分圧器を使用してPGoodピンの電圧を低く保ちます。

ピン電流が5mAを超えないようにプルアップ電圧と抵抗の値を調整します。

VCC UVLO前の電源電圧を500mV未満に制限する必要がある場合はデータシートで推奨されているように49.9Kプルアップを使用します。それ以外の場合では4.99Kプルアップで十分です。

 

  2.デジタルモードでPMBus / I2C アドレスを設定するにはどうすればよいですか?

 

ベースアドレスとオフセット[0x00から0x0F]の合計でPMBus / I2C アドレスが決まります。

ベースアドレスはワンタイムプログラマブルメモリ(OTP)に保存されます。

ベースアドレスはICの動作中に変更できますが、PMBus / I2C通信ではアドレスを更新する必要があります。

ADDRピンの抵抗によってオフセットが決まります。

 

アドレスオフセットを無効にしてベースアドレスのみを表示することができます。

PMBusとI2Cベースアドレスは変更できます。

PMBusベースアドレス[デフォルト:0x40h] はレジスタ 0x20[6:0] に格納され、I2Cベースアドレス[デフォルト:0x10h] 0x21 [6:0] に格納されます。

 

要求するオフセットの抵抗値を決定するには表1を参照してください。

200µsの間、100µAADDRの抵抗に供給されます。

200µs後の電圧によって抵抗値/オフセットが決まります。

 

ADDRの抵抗と並列にコンデンサを使用しないでください。使用する場合、最終電圧に到達するために値を小さくする必要があります。

ADDRピンのアドレス抵抗とコンデンサを並列にしないでください。

 

表1 アドレスオフセット

抵抗 [Ω]

アドレスオフセット [0xh]

499

0x0

1050

0x1

1540

0x2

2050

0x3

2610

0x4

3240

0x5

3830

0x6

4530

0x7

5230

0x8

6040

0x9

6980

0xA

7870

0xB

8870

0xC

9760

0xD

10700

0xE

11800

0xF

 

          

  3.IR38163/6/6SVIDアドレスを変更するにはどうすればよいですか?

 

SVIDアドレスはレジスタ 0x74[3:0] で変更できます。ADDRピンのオフセットはSVIDアドレスには適用されません。

 

  4.IR38060/2/3/4OTPセクションを変更するにはどうすればよいですか?

 

USER、MFRTRIMの3つのOTPセクションを変更できます。

 

 ・USER: これは一般的に設定されるセクションであり簡単に変更できます。Multiple Device ProgrammerPMBUSコマンドを使用しPowIR Center GUIを利用することでプログラムできます。
 ・Manufacturer MFR): このセクションは通常は変更されません。MFRセクションをプログラムするにはプログラミングガイドのポインタを参照してください。
 ・TRIM: このセクションは変更しないでください。

 

PowIR Center GUI

 

図1に示すようにPowIR Center GUIMultiple Device Programmerのアイコンを使用してUSERMFRのセクションをプログラムします。

 

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図1 PowIR Center GUI

 

プログラミングの手順については図2の右側のパネルの説明を参照してください。

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図2 プログラミングの手順

 

PMBusコマンド: STORE_USER_ALL

 

STORE_USER_ALLコマンドを使用すると、オペレーティングメモリレジスタのUSERセクションの内容全体を不揮発性マルチタイムプログラマブルメモリ(MTP)内の一致する場所にコピーできます。

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図3 PMBusコマンド

 

  5.外部バイアス電圧を使用する場合、IR38060/2/3/4に適用できるPVinおよびバイアス電圧範囲はどれくらいですか?

 

IR38060/2/3/4の部品は2つのモードで動作します:

 

内部LDO(バイアス)を使用したシングルレール動作
 このモードでは1つの入力電源でデバイスに電力を供給できます。
 PVinVinピンを短絡し、VccピンでLDOの出力を引き出し、10μFのデカップリングコンデンサで出力をシステムの電源グランドにバイパスします。
 このモードではデバイスは次の入力電圧範囲で動作します。
 IR38064/63/62     5.3 Vから21 VFsw = 600 kHz      および 5.5 Vから21 VFsw = 1.5 MHz
 IR38060:             5.3 Vから16 VFsw = 600 kHz      および 5.5 Vから16 VFsw = 1.5 MHz

Vバイアスでのシングルレール動作
 このモードではVinVccが接続され通常5.1Vの外部バイアス電源が使用されます。
 これにより動作バス電圧(PVin)範囲をIR38064/63/62の場合は1.2 Vから21 Vに、IR38060の場合は1.2 Vから16 Vに拡張することができます。

 

注: PVinの範囲は最大21 Vまでですが、PVinが高すぎるとSWスパイクが絶対最大値を超えてしまうため、推奨動作条件ではPVin16 Vに制限されています。

問題を部分的に解決するには0Ωから2Ωの値でRbootを使用することです。ただし、この設定では電力損失も増加します。

 

参考資料: デバイスのデータシート

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Best Regards.

YuMa

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Hi YuMa san,

Confirmed to receive this KBA.

Thank you for your contribution.

Thanks,
Bindu

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