Community Translation -IGBT Modules: Calculation of VCE_sat(max) at different temperatures – KBA237583

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Hi,

I want to translate KBA237583 into Japanese, please confirm to my work.

https://community.infineon.com/t5/Knowledge-Base-Articles/IGBT-Modules-Calculation-of-VCE-sat-max-at...

Thanks,
Shuji Morita

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Hi Bindu-san,

Thank you for your confirmation
I have translated KBA237583 to Japanese.

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Original KBA: KBA237583

タイトル: IGBTモジュール:さまざまな温度でのVCE_sat(max)の計算–KBA237583

IGBTモジュールのVCE_sat

IGBTのコレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE_satと表記) は、公称電流が流れているときの IGBTのコレクタ端子とエミッタ端子間の電圧降下です。

動作温度、電流レベル、使用される特定の IGBT の特性など、さまざまな要因が電圧降下に影響します。

                                                MS_19060803_1-1685347190483.png

ここで、

  • V0」は、デバイスに電流が流れ始めるしきい値電圧です。これは、図1に示すように、接線軸とVCE軸の交点です。
  • r」は、ICVCE状態特性曲線の傾きです。

                                               MS_19060803_2-1685347313069.png

MS_19060803_3-1685347351404.png

                                                                 図1 IGBT 出力特性曲線(IC vs VCE)

 VCE_sat最大値の計算

 VCE_satの最大値は、データシートに記載されている標準値を使用して計算されます。

IGBTモジュールのデータシートには、Tvj=25℃でのVCE_sat最大値が表示されます。 他の温度では、図2に示すように空白になります。

MS_19060803_4-1685347485125.png

                                                                  図2 特性値

 温度が上昇すると、VCE_sat値も増加します。同様に、VCE_sat(max)値も温度とともに増加します。したがって、Tvj=125℃および150℃での最大飽和電圧を次のように計算します。

他の温度のVCE_sat(max)は次のとおりです。

MS_19060803_5-1685347596122.png

したがって、125℃でのVCE_sat(max)2.412Vになります。

同様に、ダイオードのさまざまな温度での最大順方向電圧降下も計算できます。

IGBTの最大飽和電圧を超えると、IGBTが発熱し、回路全体の性能に影響を与えるだけでなく、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。したがって、回路の動作条件に適した飽和電圧定格を持つIGBTを選択し、動作中に電圧がこの制限を超えないようにすることが重要です。

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Thanks,
Shuji Morita

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Hi Shuji Morita san,

Confirm to work on this KBA.

Thanks,
Bindu

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Hi Bindu-san,

Thank you for your confirmation
I have translated KBA237583 to Japanese.

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Original KBA: KBA237583

タイトル: IGBTモジュール:さまざまな温度でのVCE_sat(max)の計算–KBA237583

IGBTモジュールのVCE_sat

IGBTのコレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE_satと表記) は、公称電流が流れているときの IGBTのコレクタ端子とエミッタ端子間の電圧降下です。

動作温度、電流レベル、使用される特定の IGBT の特性など、さまざまな要因が電圧降下に影響します。

                                                MS_19060803_1-1685347190483.png

ここで、

  • V0」は、デバイスに電流が流れ始めるしきい値電圧です。これは、図1に示すように、接線軸とVCE軸の交点です。
  • r」は、ICVCE状態特性曲線の傾きです。

                                               MS_19060803_2-1685347313069.png

MS_19060803_3-1685347351404.png

                                                                 図1 IGBT 出力特性曲線(IC vs VCE)

 VCE_sat最大値の計算

 VCE_satの最大値は、データシートに記載されている標準値を使用して計算されます。

IGBTモジュールのデータシートには、Tvj=25℃でのVCE_sat最大値が表示されます。 他の温度では、図2に示すように空白になります。

MS_19060803_4-1685347485125.png

                                                                  図2 特性値

 温度が上昇すると、VCE_sat値も増加します。同様に、VCE_sat(max)値も温度とともに増加します。したがって、Tvj=125℃および150℃での最大飽和電圧を次のように計算します。

他の温度のVCE_sat(max)は次のとおりです。

MS_19060803_5-1685347596122.png

したがって、125℃でのVCE_sat(max)2.412Vになります。

同様に、ダイオードのさまざまな温度での最大順方向電圧降下も計算できます。

IGBTの最大飽和電圧を超えると、IGBTが発熱し、回路全体の性能に影響を与えるだけでなく、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。したがって、回路の動作条件に適した飽和電圧定格を持つIGBTを選択し、動作中に電圧がこの制限を超えないようにすることが重要です。

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Thanks,
Shuji Morita

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Hi Bindu-san,

I sent you the translation of KBA237583.

But I haven't heard back from you yet.

Is there any problem in this translation?

Thanks,
Shuji Morita

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Hi Shuji Morita san,

Confirmed to receive this KBA.

Thank you for your contribution.

Thanks,
Bindu

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