Dear Jenna
The following shows the translated version in Japanese for targeted KBA.
Please conform and double check.
Regards,
Nino
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電源レール上のノイズがビット反転を引き起こし、フローティングゲートflashに損傷を与えますか？ - KBA233933
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質問： 電源レール上のノイズが「ビット反転」を引き起こし、S-29AL-J、S29PL-JおよびS29JL-J flashメモリデバイスに損傷を与えますか？
回答： ビット反転は、「ソフト－プログラム セル」として知られており、わずかにプログラムされたビットが原因の可能性があります。プログラム動作中の電源レールにシステムノイズまたはトランジェントが存在すると、「プログラミング不足」や「充電されていないセル」が発生する可能性があります。高いノイズレベルは、プログラミング閾値電圧（Vt）がセルを十分にプログラムするのに求められるレベルに到達することを妨害、または制限する可能性があります。過度のノイズが、電源レールに存在する可能性があっても、永久的な損傷は起きないことに注意する事が重要です。
「読み出し」操作が実行された場合、わずかにプログラムされたビットは「0」（プログラムされた）または「1」（消去された）として読まれます。評価テストでパスし、「0」または「1」として（それぞれ）読み出された場合、flashデバイスは、後の疑似単一ビット充電損失（pSBCL）故障の可能性のある候補になります。
pSBCLセルは、わずかにプログラムされた、または消去されただけの物理的に特別な良好なメモリセルです。セルは、物理的に異常ではなく、電圧や高温ストレスによるフローティングゲートからの電子漏れはありません。対象のセルは、良好なビットに等しい良好なデータリテンションがあります。pSBCLはデバイス関連の障害ではなく、アプリケーションノートが引き起こす障害で、言い換えると、電源レールに存在するシステムノイズやトランジェントです。従って、セルに対するそのような障害は起きません。
pSBCL障害から復帰するには、チップ消去動作を開始するか、または、少なくともpSBCLが発生したセクターのセクター消去を開始してからデータを再プログラムする必要があります。これにより、プログラミング閾値電圧（Vt）が、セルを完全にプログラムするために必要な電圧レベルに到達している事が確認されます。
詳細な情報は、以下の資料を参照してください：
Labels Memory: NOR Flash
Tags: Bit flip flash memory Floating gate flash Noise on power supply rail pSBCL s29al-j S29JL s29pl-j ser signal integrity voltage levels
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