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Community Translation - Block Protection Configuration on FL-S and FS-S NOR Flash – KBA224451

Kenshow
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Hi,               

I would like to translate KBA224451 into Japanese.

Please confirm to my work.

Thanks,

Kenshow

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JennaJo
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1000 replies posted 750 replies posted 500 replies posted

Hello, Kenshow-san

Confirm to work this KBA.

Thanks,

Jenna

Jenna Jo
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Hi Jenna-san,

                               

Japanese translation was over.
Please check below.

Original KBA:

Block Protection Configuration on FL-S and FS-S NOR Flash – KBA224451

Thanks.

Kenshow

==============================

タイトル: FL-SおよびFS-SNORフラッシュのブロック保護設定– KBA224451

バージョン:**

質問:

FL / SSデバイスに基本ブロック保護を実装および設定するにはどうすればよいですか?

回答:

サイプレスは、FL-SおよびFS-Sデバイスのメモリアレイの全部または一部を書き込み保護するための基本的なブロック保護機能を提供します。選択可能な保護領域を設定でき、場所はフラッシュの上部(上位アドレス)または下部(下位アドレス)のいずれかになります。

1. 上部アレイの保護開始(TBPROT = 0

ステータスレジスタの内容

メモリアレイの保護された部分

保護されたメモリ(KB

BP2

BP1

BP0

FL/S128S
128 Mb

FL/S256S
256 Mb

FL/S512S
512 Mb

0

0

0

無し

0

0

0

0

0

1

Upper 64th

256

512

1024

0

1

0

Upper 32nd

512

1024

2048

0

1

1

Upper 16th

1024

2048

4096

1

0

0

Upper 8th

2048

4096

8192

1

0

1

Upper 4th

4096

8192

16384

1

1

0

Upper Half

8192

16384

32768

1

1

1

すべてのセクタ

16384

32768

65536

2. 下部アレイの保護開始(TBPROT = 1

ステータスレジスタの内容

メモリアレイの保護された部分

保護されたメモリ(KB

BP2

BP1

BP0

FL / S128S
128 Mb

FL / S256S
256 Mb

FL / S512S
512 Mb

0

0

0

無し

0

0

0

0

0

1

Lower 64th

256

512

1024

0

1

0

Lower 32nd

512

1024

2048

0

1

1

Lower 16th

1024

2048

4096

1

0

0

Lower 8th

2048

4096

8192

1

0

1

Lower 4th

4096

8192

16384

1

1

0

Lower Half

8192

16384

32768

1

1

1

すべてのセクタ

16384

32768

65536

保護は、ステータスレジスタとコンフィグレーションレジスタを設定することで構成できます。ただし、FL-SデバイスとFS-Sデバイスにはいくつかの違いがあります。

FL-Sデバイスの場合、SR1CR1はデバイスのデータシートに従って設定する必要があります。

3. FL-Sステータスレジスタ1SR = 1

ビット

フィールド名

機能

タイプ

デフォルトの状態

説明

7

SRWD

ステータスレジスタ書き込み無効

不揮発性

0

1 = WRRコマンドを無視して、WP#がLOWの場合、SRWDBP、およびコンフィグレーションレジスタビットの状態をロックします。
0 = WP
#がLOWの場合でも保護なし

6

P_ERR

ステータスレジスタ書き込み無効

揮発性、読み取り専用

0

1 =エラーが発生しました

0 =エラーなしr

5

E_ERR

消去エラーの発生

揮発性、読み取り専用

0

1 =エラーが発生しました
0 =
エラーなし

4

BP2

ブロック保護

CR1 [3] = 1の場合は揮発性、

CR1 [3] = 0の場合は不揮発性

CR1 [3] = 1の場合は1、サイプレスから出荷された場合は0

選択した範囲のセクタ(ブロック)をプログラムまたは消去から保護します。

3

BP1

2

BP0

1

WEL

書き込みイネーブルラッチ

揮発性

0

1 =デバイスは書き込みレジスタ(WRR)、プログラム、または消去コマンドを受け入れます。
0 =
デバイスは書き込みレジスタ(WRR)、プログラム、または消去コマンドを無視します。
このビットはWRRの影響を受けません。WRENおよびWRDIコマンドのみがこのビットに影響します。

0

WIP

進行中の書き込み

揮発性、読み取り専用

0

1 =デバイスビジー、書き込みレジスタ(WRR)、プログラム、消去、またはその他の操作が進行中です。
0 =
準備完了デバイスはスタンバイモードであり、コマンドを受け入れることができます

4. FL-Sコンフィグレーションレジスタ1CR = 1

ビット

フィールド名

機能

タイプ

デフォルトの状態

説明

7

LC1

レイテンシコード

不揮発性

0

初期読み取り待ち時間サイクルの数を選択します。
レイテンシコードテーブルを参照してください。

6

LC0

0

5

TBPROT

ブロック保護の開始を設定

OTP

0

1 = BPは下部から始まります(下位アドレス)。
0 = BP
は先頭(上位アドレス)から始まります。

4

RFU

RFU

OTP

0

将来の使用のために予約されています。

3

BPNV

ステータスレジスタでBP2-0を設定

OTP

0

1 =揮発性
0 =
不揮発性

2

TBPARM

パラメータセクタの場所を設定

OTP

0

1 =上部に4KBの物理セクタ(上位アドレス)。
0 =
下部に4KBの物理セクタ(下位アドレス)。
ユニフォームセクタデバイスのRFU

1

QUAD

デバイスをクアッドI/O操作にする

不揮発性

0

1 =クワッド
0 =
デュアルまたはシリアル

0

FREEZE

ステータスレジスタのBP2-0ビット、コンフィグレーションレジスタのTBPROTTBPARM、およびOTP領域の現在の状態をロックする

揮発性

0

1 =ブロック保護とOTPロック。
0 =
ブロック保護とOTPのロックが解除されています。

  • SR1 [42]BP2-0)は保護範囲を定義します。
  • CR1 [5]TBPROT)は、上部または下部のブロック保護位置を定義します。
  • CR1 [3]BPNV)は、SR1 [42]BP2-0のプロパティを定義します。BPNV= 0の場合、BP2-0は不揮発性であり、構成はPOR後も存続できます。BPNV = 1の場合、BP2-0は揮発性であり、パワーオンリセット(POR)後に値は常に111bにリセットされます。
  • CR1 [0]FREEZE)は、BP2-0TBPROT、およびBPNVビットを予期しない変更から次のPORまでロックできます。これらのビットを変更するとエラーが報告され、FREEZE = 1の場合は失敗します。FREEZEビットは揮発性であり、POR後に0にリセットされます。

BPNVビットとTBPROTビットはOTPビットであり、「0」から「1」に一度だけ設定でき、それ以上元に戻すことはできないことに注意してください。これらのビットを構成するときは注意してください。SRおよびCRを設定する前に、WRENコマンドを適用してさらにWRRコマンドを有効にする必要があります。

ブロック保護構成を変更した後は、FREEZEビットを「1」に設定することをお勧めします。FREEZEビットが「1」に書き込まれると、PORまたはハードウェアリセットによってのみ「0」にクリアできます。ソフトウェアリセットは、FREEZEビットの状態には影響しません。これにより、予期しない変更やハッキングを防ぐことができます。

FS-Sデバイスの場合、SR1NVおよびCR1NVはデバイスのデータシートに従って設定する必要があります。

5. FS-Sステータスレジスタ1の揮発性(SR1V

ビット

フィールド名

機能

タイプ

デフォルトの状態

説明

7

SRWD

ステータスレジスタ書き込み無効

揮発性読み取り専用

SR1NV

SR1NVの揮発性コピー[7]

6

P_ERR

プログラミングエラーの発生

揮発性読み取り専用

1 =エラーが発生しました。
0 =
エラーなし。

5

E_ERR

消去エラーの発生

揮発性

1 =エラーが発生しました。
0 =
エラーなし。

4

BP2

ブロック保護揮発性

揮発性

BPビットが揮発性(CR1NV [3] = 1)として設定されている場合、選択した範囲のセクタ(ブロック)をプログラムまたは消去から保護します。これは、BPビットが不揮発性として設定されている場合のSR1NV [42]の揮発性コピーです。BPビットが揮発性として設定されている場合、ユーザーは書き込み可能です。

3

BP1

2

BP0

1

WEL

書き込みイネーブルラッチ

揮発性

1 =デバイスは、書き込みレジスタ(WRRおよびWRAR)、プログラム、または消去コマンドを受け入れます。
0 =
デバイスは、書き込みレジスタ(WRRおよびWRAR)、プログラム、または消去コマンドを無視します。
このビットはWRRまたはWRARの影響を受けず、WRENおよびWRDIコマンドのみがこのビットに影響します。

0

WIP

書き込み中

揮発性読み取り専用

1 =デバイスビジー、プログラムや消去などの組み込み操作が進行中です。
0 =
準備完了デバイスはスタンバイモードであり、コマンドを受け入れることができます。
このビットはWRRまたはWRARの影響を受けず、WIPステータスのみを提供します。

6. FS-Sステータスレジスタ1の不揮発性(SR1NV

ビット

フィールド名

機能

タイプ

デフォルトの状態

説明

7

SRWD_NV

ステータスレジスタ書き込み無効デフォルト

不揮発性

0

1 = SR1NVSR1VCR1NV、またはCR1Vに影響を与えるWRRまたはWRARコマンドを実行しないことにより、WP#LowのときにSRWDBP、およびコンフィグレーションレジスタ1ビットの状態をロックします。
0 = WP#
が低い場合でも、保護はありません。

6

P_ERR_D

プログラミングエラーのデフォルト

不揮発性
読み取り専用

0

プログラミングエラーステータスのデフォルト状態を提供します。ユーザーがプログラムすることはできません。

5

E_ERR_D

エラーのデフォルトを消去

不揮発性
読み取り専用

0

消去エラーステータスのデフォルト状態を提供します。ユーザーがプログラムすることはできません。

4

BP_NV2

ブロック保護不揮発性

不揮発性

000b

BPビットが不揮発性(CR1NV [3] = 0)として構成されている場合、選択した範囲のセクタ(ブロック)をプログラムまたは消去から保護します。BPビットが揮発性(CR1NV [3] = 1)に構成されている場合、111bにプログラムされます。その後、これらのビットはユーザーがプログラムできなくなります。

3

BP_NV1

2

BP_NV0

1

WEL_D

WELのデフォルト

不揮発性
読み取り専用

0

WELステータスのデフォルト状態を提供します。ユーザーがプログラムすることはできません。

0

WIP_D

WIPのデフォルト

不揮発性
読み取り専用

0

WIPステータスのデフォルト状態を提供します。ユーザーがプログラムすることはできません。

7. FS-Sコンフィグレーションレジスタ1揮発性(CR1V

ビット

フィールド名

機能

タイプ

デフォルトの状態

説明

7

RFU

将来の使用のために予約

揮発性

CR1NV

  1. 予約済み。

6

RFU

5

TBPROT

TBPROT_Oの揮発性コピー

揮発性
読み取り専用

ユーザーによる書き込みはできません。
CR1NV [5] TBPROT_O
を参照してください。

4

RFU

将来の使用のために予約

RFU

  1. 予約済み。

3

BPNV

BPNV_Oの揮発性コピー

揮発性
読み取り専用

ユーザーによる書き込みはできません。
CR1NV [3] BPNV_O
を参照してください。

2

TBPARM

TBPARM_Oの揮発性コピー

揮発性
読み取り専用

ユーザーによる書き込みできません。
CR1NV [2] TBPARM_O
を参照してください。

1

QUAD

クワッドI/Oモード

揮発性

1 =クワッド。
0 =
デュアルまたはシリアル。

0

FREEZE

次の電源サイクルまでのロックダウンブロック保護

揮発性

ブロック保護制御ビットとOTP領域の現在の状態をロックします。
1 =
ブロック保護とOTPロック。
0 =
ブロック保護とOTPのロックが解除されています。

8. FS-Sコンフィグレーションレジスタ1不揮発性(CR1NV

ビット

フィールド名

機能

タイプ

デフォルトの状態

説明

7

RFU

将来の使用のために予約

不揮発性

0

  1. 予約済み。

6

RFU

0

5

TBPROT_O

ブロック保護の開始を設定

OTP

0

1 = BPは下部から始まります(下位アドレス)。
0 = BP
は先頭(上位アドレス)から始まります。

4

RFURFU

将来の使用のために予約

RFU

0

  1. 予約済み。

3

BPNV_O

ステータスレジスタでBP2-0を設定

OTP

0

1 =揮発性。
0 =
不揮発性。

2

TBPARM_O

パラメータセクタの場所を設定

OTP

0

1 =上部に4KBの物理セクタ(上位アドレス)。
0 =
下部に4KBの物理セクタ(下位アドレス)。
均一なセクタ構成のRFU

1

QUAD_NV

クワッド不揮発性

不揮発性

0

QUADビットのデフォルト状態を提供します。

0

FREEZE_D

FREEZEデフォルト

不揮発性
読み取り専用

0

フリーズビットのデフォルト状態を提供します。ユーザーがプログラムすることはできません。

  • SR1V [42]BP2-0)は、揮発性バージョンの保護範囲を定義します。
  • SR1NV [42]BP_NV2-0)は、不揮発性バージョンの保護範囲を定義します。
  • CR1NV [5]TBPROT_O)は、上部または下部のブロック保護位置を定義します。
  • CR1NV [3]BPNV_O)は、デバイスで有効になるBP設定のコピーを定義します。BPNV_O = 0の場合、不揮発性BP_NV2-0が有効になります。BPNV_O = 1の場合、揮発性BP2-0が有効になります。
  • CR1V [0]FREEZE)は、BP2-0 / BP_NV2-0TBPROT_O、およびBPNV_Oビットを予期しない変更から次のPORまでロックできます。これらのビットを変更するとエラーが報告され、FREEZE = 1の場合は失敗します。FREEZEビットは揮発性であり、POR後に「0」にリセットされます。

BPNV_OビットとTBPROT_Oビットは、「0」から「1」まで設定できるOTPビットであることに注意してください。一度だけで、元に戻すことはできません。これらのビットを構成するときは、必ず注意してください。SRおよびCRを設定する前に、WRENコマンドを適用してさらにWRRおよびWRARコマンドを有効にする必要があります。

ブロック保護構成を変更した後は、FREEZEビットを「1」に設定することをお勧めします。FREEZEビットが「1」に書き込まれると、PORまたはハードウェアリセットによってのみ「0」にクリアできます。ソフトウェアリセットは、FREEZEビットの状態には影響しません。これにより、予期しない変更やハッキングを防ぐことができます。

FS01GSデバイスに関する注意

このデバイスは、デュアルダイスタックで構成されています。CS#ピンが1つしかない場合、WRRRDSR1RDCRなど、特定のアドレスサイクルのない一部のコマンドはサポートされません。各FS512Sダイに対応するレジスタの4バイトアドレスを持つWRARおよびRDARコマンドは、ブロック保護構成に使用されます。各ダイのセクタを保護するために、必要に応じて各FS512Sでブロック保護を構成する必要があります。各FS512STBPROT_Oビットは同じように設定する必要があるため、BP保護範囲は両方のFS512Sダイで上または下に向けられていることに注意してください。

ブロック保護は、サイプレスQSPINORフラッシュデバイスの基本的な保護機能です。個々のセクタで複雑で柔軟な保護を実現するには、高度なセクタ保護(ASP)機能が必要です。ASP機能の詳細については、AN98551-サイプレスクアッドSPI、オクタルSPI、およびハイパーフラッシュデバイスファミリの高度なセクタ保護(ASPを参照してください。

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16-Nov-2020

Kenshow

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