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Hi ,
I want to translate the following KBA236784 into Japanese, please confirm to my work.
Regards,Takushi Iwanami
Solved! Go to Solution.
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Power MOSFET
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CCG7DCのMOSFETとコントローラのケース温度(Tc)を計算する - KBA236784
一般に、デバイスの最大表面温度を計算するには、次の式を使用します。
Tcase-max = Tjunction-max-(θjunction-to-case×Pdissipated)
式の中の各係数は以下のとおりです。
Tcase-max :最高表面温度
Tjunction-max : 最大接合温度
θjunction-to-case :接合部分からパッケージ表面までの熱抵抗。
Pdissipated : 電力損失
Case1:CCG7DCコントローラーの表面温度(Tc)
CCG7DCの動作温度は、-40℃~105℃です。
125℃まで使用すると、寿命が短くなることがあります。
また、125℃を超える温度で使用した場合、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。
CCG7DCのパッケージの熱抵抗は12.9℃/Wです。データシートの参照は、図1を参照してください。
図1 データシートの例
図1では、Tcase-max = Tjunction-max -12.9*PD となっています。
-40℃ <Tj < 125
Case2:MOSFETの表面温度(Tc)
BSZ063N04LS6は、45W USB-PD Dual C Power Adapter Solution with PAG1P-A3/PAG1S-A1+CCG7D-C controllers.で使用されているため、解析対象とした。
MOSFETの動作温度は、-55℃~175℃です。
筐体のMOSFET熱抵抗は4℃/Wです。データシートの参考資料として図2をご覧ください。
図2 データシートの例
図2において、Tcase-maxは
Tcase-max = Tjunction-max -4*PD
–55℃ <Tj < 175℃
となります。
注:許容損失(Pd)が大きいほど、最大表面温度は低くなります。
例 MOSFETのTc
Tjが125℃、20Wの電力を消費することを考えると、与えられた条件下での表面温度は以下のようになります。
Tcase-max = Tjunction-max -4*PD
= 125 – 4*20
= 45℃
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Hi Takushi san,
Confirm to work on this KBA.
Thanks,
IFX_Publisher1
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CCG7DCのMOSFETとコントローラの表面温度(Tc)を計算する - KBA236784
デバイスの表面の最大温度Tcase-maxを計算するには、次の式を使用します。
Tcase-max = Tjunction-max-(θjunction-to-case×Pdissipated)
上式における各係数は以下のとおりです。
Tcase-max : 最高表面温度
Tjunction-max: 最大接合温度
θjunction-to-case :接合部からケースまでの熱抵抗。
Pdissipated : 電力損失
Case1:CCG7DCコントローラーの表面温度(Tc)
CCG7DCの動作温度は、-40℃~105℃です。
125℃まで使用すると、寿命が短くなることがあります。
また、125℃を超える温度で使用した場合、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。
CCG7DCのケースの熱抵抗は12.9℃/Wです。データシートの参照は、図1を参照してください。
図1 データシートの例
図1において、Tcase-maxは
Tcase-max = Tjunction-max -12.9*PD
-40℃ <Tj < 125
となります、
Case2:MOSFETの表面温度(Tc)
BSZ063N04LS6は、45W USB-PD Dual C Power Adapter Solution with PAG1P-A3/PAG1S-A1+CCG7D-C controllers.で使用されているため、解析対象としました。
MOSFETの動作温度は、-55℃~175℃です。
図2のデータシートより、MOSFETのパッケージの熱抵抗は4℃/Wです。
図2 データシートの例
図2において、Tcase-maxは
Tcase-max = Tjunction-max -4*PD
–55℃ <Tj < 175℃
となります。
注:許容損失(Pd)が大きいほど、最高表面温度は低くなります。
例:MOSFETのTc
Tjが125℃、20Wの電力を消費することを考えると、与えられた条件下での表面温度は以下のようになります。
Tcase-max = Tjunction-max -4*PD
= 125 – 4*20
= 45℃
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CCG7DCのMOSFETとコントローラのケース温度(Tc)を計算する - KBA236784
一般に、デバイスの最大表面温度を計算するには、次の式を使用します。
Tcase-max = Tjunction-max-(θjunction-to-case×Pdissipated)
式の中の各係数は以下のとおりです。
Tcase-max :最高表面温度
Tjunction-max : 最大接合温度
θjunction-to-case :接合部分からパッケージ表面までの熱抵抗。
Pdissipated : 電力損失
Case1:CCG7DCコントローラーの表面温度(Tc)
CCG7DCの動作温度は、-40℃~105℃です。
125℃まで使用すると、寿命が短くなることがあります。
また、125℃を超える温度で使用した場合、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。
CCG7DCのパッケージの熱抵抗は12.9℃/Wです。データシートの参照は、図1を参照してください。
図1 データシートの例
図1では、Tcase-max = Tjunction-max -12.9*PD となっています。
-40℃ <Tj < 125
Case2:MOSFETの表面温度(Tc)
BSZ063N04LS6は、45W USB-PD Dual C Power Adapter Solution with PAG1P-A3/PAG1S-A1+CCG7D-C controllers.で使用されているため、解析対象とした。
MOSFETの動作温度は、-55℃~175℃です。
筐体のMOSFET熱抵抗は4℃/Wです。データシートの参考資料として図2をご覧ください。
図2 データシートの例
図2において、Tcase-maxは
Tcase-max = Tjunction-max -4*PD
–55℃ <Tj < 175℃
となります。
注:許容損失(Pd)が大きいほど、最大表面温度は低くなります。
例 MOSFETのTc
Tjが125℃、20Wの電力を消費することを考えると、与えられた条件下での表面温度は以下のようになります。
Tcase-max = Tjunction-max -4*PD
= 125 – 4*20
= 45℃
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CCG7DCのMOSFETとコントローラのケース温度(Tc)を計算する - KBA236784
一般に、デバイスの最大表面温度を計算するには、次の式を使用します。
Tcase-max = Tjunction-max-(θjunction-to-case×Pdissipated)
式の中の各係数は以下のとおりです。
Tcase-max :最高表面温度
Tjunction-max : 最大接合温度
θjunction-to-case :接合部分からパッケージ表面までの熱抵抗。
Pdissipated : 電力損失
Case1:CCG7DCコントローラーの表面温度(Tc)
CCG7DCの動作温度は、-40℃~105℃です。
125℃まで使用すると、寿命が短くなることがあります。
また、125℃を超える温度で使用した場合、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。
CCG7DCのパッケージの熱抵抗は12.9℃/Wです。データシートの参照は、図1を参照してください。
図1 データシートの例
図1では、Tcase-max = Tjunction-max -12.9*PD となっています。
-40℃ <Tj < 125
Case2:MOSFETの表面温度(Tc)
BSZ063N04LS6は、45W USB-PD Dual C Power Adapter Solution with PAG1P-A3/PAG1S-A1+CCG7D-C controllers.で使用されているため、解析対象とした。
MOSFETの動作温度は、-55℃~175℃です。
筐体のMOSFET熱抵抗は4℃/Wです。データシートの参考資料として図2をご覧ください。
図2 データシートの例
図2において、Tcase-maxは
Tcase-max = Tjunction-max -4*PD
–55℃ <Tj < 175℃
となります。
注:許容損失(Pd)が大きいほど、最大表面温度は低くなります。
例 MOSFETのTc
Tjが125℃、20Wの電力を消費することを考えると、与えられた条件下での表面温度は以下のようになります。
Tcase-max = Tjunction-max -4*PD
= 125 – 4*20
= 45℃
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CCG7DCのMOSFETとコントローラのケース温度(Tc)を計算する - KBA236784
デバイスにおけるパッケージの最大温度を計算するには、次の式を使用します。
Tcase-max = Tjunction-max-(θjunction-to-case×Pdissipated)
それぞれ、
Tcase-max : 最高ケース温度
Tjunction-max : 最大ジャンクション温度
θjunction-to-case:ジャンクションからケースまでの熱抵抗。
Pdissipated : 電力損失
Case1:CCG7DCコントローラーのケース温度(Tc) CCG7DC controller
1.CCG7DCの動作温度は、-40℃~105℃です。
2.125℃まで使用すると、寿命が短くなることがあります。
3.125℃を超える温度で使用した場合、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。
CCG7DCのケースの熱抵抗は12.9℃/Wです。データシートの参照は、図1を参照してください。
図1 データシートの例
図1において、Tcase-maxは
Tcase-max = Tjunction-max -12.9*PD
-40℃ <Tj < 125
Case2:MOSFETのケース温度(Tc)
BSZ063N04LS6は、 45W USB-PD Dual C Power Adapter Solution with PAG1P-A3/PAG1S-A1+CCG7D-C controllers.で使用されているため、解析対象としました。
MOSFETの動作温度は、-55℃~175℃です。
パッケージのMOSFET熱抵抗は4℃/Wです。データシートの参照は図2を参照してください。
図2 データシートの例
図2において、Tcase-max=Tjunction-max -4*PD
-55℃<Tj<175
となります。
注:許容損失(Pd)が大きいほど、最高ケース温度は低くなります。
例 :MOSFETのTc
Tjが125℃、20Wの電力を消費することを考えると、与えられた条件下でのケース温度は以下のようになります。
Tcase-max = Tjunction-max -4*PD
= 125 - 4*20
= 45℃
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Hi Takushi san
Confirmed to receive this KBA.
Thank you for your contribution.
Thanks,
Bindu