Calculating the case temperature (Tc) of MOSFET and controller in CCG7DC – KBA236784

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Hi ,

I want to translate the following KBA236784 into Japanese, please confirm to my work.

https://community.infineon.com/t5/Knowledge-Base-Articles/Calculating-the-case-temperature-Tc-of-MOS...

Regards,Takushi Iwanami

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CCG7DCのMOSFETとコントローラのケース温度(Tc)を計算する - KBA236784


一般に、デバイスの最大表面温度を計算するには、次の式を使用します。

Tcase-max = Tjunction-max-(θjunction-to-case×Pdissipated)

式の中の各係数は以下のとおりです。

Tcase-max :最高表面温度
Tjunction-max 最大接合温度
θjunction-to-case :接合部分からパッケージ表面までの熱抵抗。
Pdissipated 電力損失


Case1:CCG7DCコントローラーの表面温度(Tc)

CCG7DCの動作温度は、-40℃~105℃です。
125℃まで使用すると、寿命が短くなることがあります。
また、125℃を超える温度で使用した場合、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。
CCG7DCのパッケージの熱抵抗は12.9℃/Wです。データシートの参照は、図1を参照してください。

NXTY_Iwanami_1-1678408740422.png

 


図1 データシートの例

図1では、Tcase-max = Tjunction-max -12.9*PD となっています。
-40℃ <Tj < 125


Case2:MOSFETの表面温度(Tc)

BSZ063N04LS6は、45W USB-PD Dual C Power Adapter Solution with PAG1P-A3/PAG1S-A1+CCG7D-C controllers.で使用されているため、解析対象とした。

MOSFETの動作温度は、-55℃~175℃です。

筐体のMOSFET熱抵抗は4℃/Wです。データシートの参考資料として図2をご覧ください。

NXTY_Iwanami_0-1678408734178.png

 

図2 データシートの例


図2において、Tcase-maxは

Tcase-max = Tjunction-max -4*PD
–55
 <Tj  < 175

となります。

注:許容損失(Pd)が大きいほど、最大表面温度は低くなります。

例 MOSFETのTc

Tjが125℃、20Wの電力を消費することを考えると、与えられた条件下での表面温度は以下のようになります。

Tcase-max = Tjunction-max -4*PD
                     = 125 – 4*20
                     = 45℃

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Hi Takushi san,

Confirm to work on this KBA.

Thanks,
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CCG7DCのMOSFETとコントローラの表面温度(Tc)を計算する - KBA236784

 

デバイスの表面の最大温度Tcase-maxを計算するには、次の式を使用します。

Tcase-max = Tjunction-max-(θjunction-to-case×Pdissipated)

上式における各係数は以下のとおりです。

Tcase-max : 最高表面温度
Tjunction-max: 最大接合温度
θjunction-to-case :接合部からケースまでの熱抵抗。
Pdissipated : 電力損失


Case1:CCG7DCコントローラーの表面温度(Tc)

CCG7DCの動作温度は、-40℃~105℃です。
125℃まで使用すると、寿命が短くなることがあります。
また、125℃を超える温度で使用した場合、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。
CCG7DCのケースの熱抵抗は12.9℃/Wです。データシートの参照は、図1を参照してください。

NXTY_Iwanami_0-1678407967981.png

図1 データシートの例

図1において、Tcase-maxは

Tcase-max = Tjunction-max -12.9*PD
-40℃ <Tj < 125

となります、


Case2:MOSFETの表面温度(Tc)

BSZ063N04LS6は、45W USB-PD Dual C Power Adapter Solution with PAG1P-A3/PAG1S-A1+CCG7D-C controllers.で使用されているため、解析対象としました。

MOSFETの動作温度は、-55℃~175℃です。

図2のデータシートより、MOSFETのパッケージの熱抵抗は4℃/Wです。

NXTY_Iwanami_1-1678407974139.png

図2 データシートの例


図2において、Tcase-max

Tcase-max = Tjunction-max -4*PD
–55
 <Tj  < 175

となります。

注:許容損失(Pd)が大きいほど、最高表面温度は低くなります。

例:MOSFETのTc

Tjが125℃、20Wの電力を消費することを考えると、与えられた条件下での表面温度は以下のようになります。

Tcase-max = Tjunction-max -4*PD
                     = 125 – 4*20
                     = 45℃

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CCG7DCのMOSFETとコントローラのケース温度(Tc)を計算する - KBA236784


一般に、デバイスの最大表面温度を計算するには、次の式を使用します。

Tcase-max = Tjunction-max-(θjunction-to-case×Pdissipated)

式の中の各係数は以下のとおりです。

Tcase-max :最高表面温度
Tjunction-max 最大接合温度
θjunction-to-case :接合部分からパッケージ表面までの熱抵抗。
Pdissipated 電力損失


Case1:CCG7DCコントローラーの表面温度(Tc)

CCG7DCの動作温度は、-40℃~105℃です。
125℃まで使用すると、寿命が短くなることがあります。
また、125℃を超える温度で使用した場合、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。
CCG7DCのパッケージの熱抵抗は12.9℃/Wです。データシートの参照は、図1を参照してください。

NXTY_Iwanami_1-1678408740422.png

 


図1 データシートの例

図1では、Tcase-max = Tjunction-max -12.9*PD となっています。
-40℃ <Tj < 125


Case2:MOSFETの表面温度(Tc)

BSZ063N04LS6は、45W USB-PD Dual C Power Adapter Solution with PAG1P-A3/PAG1S-A1+CCG7D-C controllers.で使用されているため、解析対象とした。

MOSFETの動作温度は、-55℃~175℃です。

筐体のMOSFET熱抵抗は4℃/Wです。データシートの参考資料として図2をご覧ください。

NXTY_Iwanami_0-1678408734178.png

 

図2 データシートの例


図2において、Tcase-maxは

Tcase-max = Tjunction-max -4*PD
–55
 <Tj  < 175

となります。

注:許容損失(Pd)が大きいほど、最大表面温度は低くなります。

例 MOSFETのTc

Tjが125℃、20Wの電力を消費することを考えると、与えられた条件下での表面温度は以下のようになります。

Tcase-max = Tjunction-max -4*PD
                     = 125 – 4*20
                     = 45℃

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CCG7DCのMOSFETとコントローラのケース温度(Tc)を計算する - KBA236784


一般に、デバイスの最大表面温度を計算するには、次の式を使用します。

Tcase-max = Tjunction-max-(θjunction-to-case×Pdissipated)

式の中の各係数は以下のとおりです。

Tcase-max :最高表面温度
Tjunction-max 最大接合温度
θjunction-to-case :接合部分からパッケージ表面までの熱抵抗。
Pdissipated 電力損失


Case1:CCG7DCコントローラーの表面温度(Tc)

CCG7DCの動作温度は、-40℃~105℃です。
125℃まで使用すると、寿命が短くなることがあります。
また、125℃を超える温度で使用した場合、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。
CCG7DCのパッケージの熱抵抗は12.9℃/Wです。データシートの参照は、図1を参照してください。

NXTY_Iwanami_1-1678408740422.png

 


図1 データシートの例

図1では、Tcase-max = Tjunction-max -12.9*PD となっています。
-40℃ <Tj < 125


Case2:MOSFETの表面温度(Tc)

BSZ063N04LS6は、45W USB-PD Dual C Power Adapter Solution with PAG1P-A3/PAG1S-A1+CCG7D-C controllers.で使用されているため、解析対象とした。

MOSFETの動作温度は、-55℃~175℃です。

筐体のMOSFET熱抵抗は4℃/Wです。データシートの参考資料として図2をご覧ください。

NXTY_Iwanami_0-1678408734178.png

 

図2 データシートの例


図2において、Tcase-maxは

Tcase-max = Tjunction-max -4*PD
–55
 <Tj  < 175

となります。

注:許容損失(Pd)が大きいほど、最大表面温度は低くなります。

例 MOSFETのTc

Tjが125℃、20Wの電力を消費することを考えると、与えられた条件下での表面温度は以下のようになります。

Tcase-max = Tjunction-max -4*PD
                     = 125 – 4*20
                     = 45℃

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CCG7DCのMOSFETとコントローラのケース温度(Tc)を計算する - KBA236784


デバイスにおけるパッケージの最大温度を計算するには、次の式を使用します。

Tcase-max = Tjunction-max-(θjunction-to-case×Pdissipated)

それぞれ、

Tcase-max : 最高ケース温度
Tjunction-max : 最大ジャンクション温度
θjunction-to-case:ジャンクションからケースまでの熱抵抗。
Pdissipated : 電力損失


Case1:CCG7DCコントローラーのケース温度(Tc) CCG7DC controller

1.CCG7DCの動作温度は、-40℃~105℃です。
2.125℃まで使用すると、寿命が短くなることがあります。
3.125℃を超える温度で使用した場合、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。
CCG7DCのケースの熱抵抗は12.9℃/Wです。データシートの参照は、図1を参照してください。

NXTY_Iwanami_0-1678407055780.png

図1 データシートの例

 

図1において、Tcase-maxは

Tcase-max = Tjunction-max -12.9*PD 
-40℃ <Tj < 125


Case2:MOSFETのケース温度(Tc)

BSZ063N04LS6は、 45W USB-PD Dual C Power Adapter Solution with PAG1P-A3/PAG1S-A1+CCG7D-C controllers.で使用されているため、解析対象としました。

MOSFETの動作温度は、-55℃~175℃です。

パッケージのMOSFET熱抵抗は4℃/Wです。データシートの参照は図2を参照してください。

NXTY_Iwanami_1-1678407368937.png

図2 データシートの例


図2において、Tcase-max=Tjunction-max -4*PD
-55℃<Tj<175

となります。

注:許容損失(Pd)が大きいほど、最高ケース温度は低くなります。

例 :MOSFETのTc

Tjが125℃、20Wの電力を消費することを考えると、与えられた条件下でのケース温度は以下のようになります。

Tcase-max = Tjunction-max -4*PD
= 125 - 4*20
= 45℃

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Hi Takushi san

Confirmed to receive this KBA.

Thank you for your contribution.

Thanks,
Bindu

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