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Angle (Magnetic sensor) Forum Discussions

MiRa
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TLE5109のデータシートを見る限りだと「The Magneto Resistive (MR) sensors are implemented using vertical integration.」と記載されており、角度算出を行う垂直タイプであると認識しています。

一方、他社さんの文献を示すようで申し訳ないのですが、浜松電子様では、垂直タイプでの検出原理の場合、飽和感度領域に達する磁界強度においての使用が求められていると書かれていました。(https://www.hkd.co.jp/amr_tec_suichoku/)

そこで、infineon様のデータシートを見たところ、「Magnetic induction AMR」は「min 20mT」との記載がありました。

それはつまり、このAMR角度センサは飽和感度領域である20mT以上の磁界強度における使用が検討されているということでよろしいでしょうか?

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TakashiM_61
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製品データシート内記述:

The Magneto Resistive (MR) sensors are implemented using vertical integration. This means that the MR sensitive areas are integrated above the analog portion of the ICs. These MR elements change their resistance depending on the direction of the magnetic field

は、チップ内部のパッケージング構成についての説明で、素子部と回路部を二階建て構造にすることでチップ面積の縮小を実現している、という内容となります。

他社様製品タイプの定義は弊社としては不明ですが、本製品では相互に位相をずらして配置した複数素子をプリッジ接続した構成となります。

(Infineon-TLE5x09A16_D-DataSheet-v02_00-EN.pdf, p7, Figure4参照)

TakashiM_61_0-1654665369500.jpeg

なお本製品は素子の飽和領域で正常な検出動作を行う、というご理解は正しいです。
製品データシート内では、飽和領域に達するに必要な最低磁界(min 20mT)を規定しています。

(Infineon-TLE5x09A16_D-DataSheet-v02_00-EN.pdf, p17, Table7参照)

TakashiM_61_1-1654665401042.jpeg

本規定に基づき、磁石選定やエアギャップ設定等々、お客様にてご検討頂くかたちとなります。

 

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TakashiM_61
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製品データシート内記述:

The Magneto Resistive (MR) sensors are implemented using vertical integration. This means that the MR sensitive areas are integrated above the analog portion of the ICs. These MR elements change their resistance depending on the direction of the magnetic field

は、チップ内部のパッケージング構成についての説明で、素子部と回路部を二階建て構造にすることでチップ面積の縮小を実現している、という内容となります。

他社様製品タイプの定義は弊社としては不明ですが、本製品では相互に位相をずらして配置した複数素子をプリッジ接続した構成となります。

(Infineon-TLE5x09A16_D-DataSheet-v02_00-EN.pdf, p7, Figure4参照)

TakashiM_61_0-1654665369500.jpeg

なお本製品は素子の飽和領域で正常な検出動作を行う、というご理解は正しいです。
製品データシート内では、飽和領域に達するに必要な最低磁界(min 20mT)を規定しています。

(Infineon-TLE5x09A16_D-DataSheet-v02_00-EN.pdf, p17, Table7参照)

TakashiM_61_1-1654665401042.jpeg

本規定に基づき、磁石選定やエアギャップ設定等々、お客様にてご検討頂くかたちとなります。

 

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MiRa
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ありがとうございます。

自分としては問題が解決したので助かりました。

とてもわかり易い説明ありがとうございました。

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