VSID的范围指的是有512个VS_ID可用,但是如果每个ID里写的数据都非常多的话,没有办法用到512个的,还要受到总长度的限制。
VS区域的长度和地址都是在.btp文件中定义的,关于flash的分配,可以参考下面的文档:
https://github.com/Infineon/btsdk-docs/blob/master/docs/BT-SDK/WICED-Firmware-Upgrade-Library.pdf
1) CYW20719的flash为1M,主要分为SS, VS, DS区域,用户使用的是VS区域,默认大小为4k,在mtb_shared\wiced_btsdk\dev-kit\baselib\20719B2\release-v3.1.0\COMPONENT_20719B2\platforms文件夹下的.btp文件中定义的。
2)NVRAM的读写是按照VS_ID进行操作的,读写的时间没有具体数据。
Hi,
可是在说明文档中:
nvram的使用范围是0x200--0x3ff,这样算下来应该有15K;如果只能使用4K,那么什么地址范围是有效的?
VSID的范围指的是有512个VS_ID可用,但是如果每个ID里写的数据都非常多的话,没有办法用到512个的,还要受到总长度的限制。
VS区域的长度和地址都是在.btp文件中定义的,关于flash的分配,可以参考下面的文档:
https://github.com/Infineon/btsdk-docs/blob/master/docs/BT-SDK/WICED-Firmware-Upgrade-Library.pdf
您给的链接我在大陆打不开!OMG
上面的回复也不理解,
文档显示可访问的空间如上图所示。
“512个VS_ID可用”是什么意思?
多谢转发的附件!
1)那就是BTSDK的文档写错了? WICED_NVRAM_VSID_END应该等于0x3ff,而不是0x3fff!
2)用PLACE_DATA_IN_RETENTION_RAM定义的变量是不是也存放在nvram中?
谢谢