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こんにちは

ICE2PCS05Gを使って500WのPFCを開発しています。 高出力と120V入力で非常にうまく機能しています。

しかし、230V入力、150Wの電力では、入力電流は歪んでしまい、力率はわずか0.75です。 ゲートドライブに多少の不安定さがあるように見えますが、すべての安定成分を大幅に変更してみましたが、まったく効果がありません。 120では、はるかに低い電力(35W)まで優れたパフォーマンスが得られます。 回路はうまくレイアウトされており、レイアウトが異なるプロトタイプPCBでも同じことを行うと思います。 インダクタは500uHです。 高出力では問題なく動作します。

これに関するアドバイスを期待しています。

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1 解決策
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こんにちは@willnick

前述したように、周波数やインダクタを変えて確認してください。

ピン端子に異音がないか確認してください。

よろしく

グルプラサドA

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/Power-Management-ICs/Poor-power-factor-at-low-power/m-p/656955

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5 返答(返信)
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こんにちは @willnick

より高いラインでの入力電流は低いため、本質的にPFCコンバータは低負荷/低負荷でPFが低くなります。 pf が 0.9 を超える最小負荷は、入力電圧によって異なります。 例:EVALPFC2-ICE2PCS03では、PF >0.94は、下側のラインで7%の全負荷を達成しているのに対し、上のラインでは全負荷の約30%を達成しています。

この場合、PFが低い理由は2つ考えられます。

  1. 電流が小さいため、電流の検出
  2. ブーストインダクタ、より高いインダクタ値で確認してください。

よろしく

ジョージア 州

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/Power-Management-ICs/Poor-power-factor-at-low-power/m-p/636633

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こんにちはGA、

お返事ありがとうございます。 MOSFETのゲートとドレインを見ると、主電源サイクルの早い段階でゲートが上昇する前でもドレインが下降しているため、電源がチップによって制御されていないことがわかります。 これは問題ではないかもしれませんが、何が起こっているのかを理解したかったのです。

試作品の56mRから電流検出抵抗を2倍にしましたが、まったく違いはありませんでした。

動作速度(110kHz)を上げると、インダクタを増やすのと同じ効果があるのでしょうか? インダクタンス値の変更は簡単なオプションではありません。 伝導性放射のためには、150kHz未満に抑える必要があります。

よろしく

刻み

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こんにちは@willnick

電流検出抵抗を2倍(並列)にすると、負荷の問題を解決できます。

周波数とインダクタンスは反比例します。

GA_0-1700817724305.png

頻度を減らして確認してください。 周波数を変更すると、他のパラメータに影響することに注意してください。

ISENSEピンの波形をチェックし、センシングが適切かどうか確認してください。

よろしく

ジョージア 州

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/Power-Management-ICs/Poor-power-factor-at-low-power/m-p/646882

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こんにちはGA、

回答ありがとうございます。 低電力/高線間電圧での貧弱なPFが現時点でどの程度問題になっているかはわかりませんが、アドバイスをいただければ幸いです。

動作速度を下げると、MOSFETのスイッチング損失が低減され、150kHzでの伝導放射が低減されるなど、いくつかの利点がある可能性があります。

電流検出抵抗 を増やしてみ ましたが、効果はないようでした。

刻み

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/Power-Management-ICs/Poor-power-factor-at-low-power/m-p/647780

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こんにちは@willnick

前述したように、周波数やインダクタを変えて確認してください。

ピン端子に異音がないか確認してください。

よろしく

グルプラサドA

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/Power-Management-ICs/Poor-power-factor-at-low-power/m-p/656955

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