REFWLCTX15WC1(WLC1115 參考板)無浪湧保護

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嗨,

我們正在進行基於 WLC1115 的設計,並使用參考板作為起點。 我們注意到該板似乎不符合 USB PD 的匯流湧入規則?Vbus 上有 58uF 的電容,遠遠超過 USB 標準最大值 10uF(見附件)。WLC1115 設計指南 (和資料表原理圖) 建議使用內建的 NFET 引腳來驅動 VBUS FET,並避免此問題。 為什麼參考板不這樣做? 這使得您為其分發的默認固件也不合規,需要更改編譯時間? 我在無線配置工具中看不到此設置。

參考委員會似乎沒有實施的 WLC1115 指引是 https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-AN235387_-_Hardware_design_guideline...

謝謝

1 解決方案
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Hi @jpottaway

FET 會導致額外的成本和損失。因此,我們在設計指南中對此進行了說明,因為我們的矽符合 PD 並具有湧入保護規定。根據要求, CAN 添加浪湧保護作為附加功能。

問候,
金海屋

在原始文章中檢視解決方案

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5 回應
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嗨 @jpottaway ,

為了處理外部時脈電源控制,NFET 閘極驅動引腳已重新設定用途。 使用當前固件,它一次 CAN 是一項功能。

因此,如果要使用引腳來控制湧入 MOSFET,則需要調整編譯時間。

問候,
金海屋

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謝謝 卡納海亞。 然而主要問題是,為什麼 WCL1115 參考板不符合 USB PD 浪湧規則?這似乎是 USB-C Qi 充電器的基本要求?

該規範規定:

 

 

The maximum load (CRPB) that can be placed at the downstream end of a cable is 10 μF in parallel with 44 Ω. The 10 μF capacitance represents any bypass capacitor directly connected across the VBUS lines in the function plus any capacitive effects visible through the regulator in the device. The 44 Ω resistance represents one unit load of current drawn by the device during connect.

If more bypass capacitance is required in the device, then the device must incorporate some form of VBUS surge current limiting, such that it matches the characteristics of the above load.

 

 

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Hi @jpottaway

FET 會導致額外的成本和損失。因此,我們在設計指南中對此進行了說明,因為我們的矽符合 PD 並具有湧入保護規定。根據要求, CAN 添加浪湧保護作為附加功能。

問候,
金海屋

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感謝您的回應 卡納海亞。因此,為了確認 WLC1115 通過 NFET 支持 PD 兼容實現,但 REF 板本身不一定是 PD 兼容的浪湧?

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@jpottaway

是的,您正確地註意到WLC1115 透過 NFET 支援 PD 相容實作。該功能CAN根據要求進行整合。

問候,
金灰屋

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