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尊敬的專家:

正如我們所知,關閉狀態診斷是通過監控排水和源之間的電壓來執行。當對應的半橋處於關閉狀態(HBx模式 [1:0] = 00 或 11)時,可以通過狀態位 HBxVout(註冊 HBVOUT_PWMERR)的輸出電壓 VOUTx 的狀態(x = 1... 8)讀回我的問題是:

1. 這是否意味著在關閉狀態下,高端 MOSFET 的 DS 電壓由 DS OV 比較器持續監控?

2. 狀態登錄器本身是否有更新內容的重新整理週期? 例如:HBVOUT_PWMERR. HBXVOUT?如果 情況是這樣,需要多長時間?

1 解決方案
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親愛的 @bennieliu

美好的一天!

感謝您在 Infineon 社群中發布您的查詢。

 

1.是的,高側 MOSFET 的 DS 電壓由 DS OV 比較器持續監控。 根據來自 DS OV 比較器的 SH1 和 SH2 電壓,在離狀態診斷中識別故障狀態。 請參閱離境診斷應用說明。

申請注意事項鏈接:

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Z8F64770633_TLE9210x_Off_State_Diagnostic-ApplicationNotes-v0...

 

二.是的,當 VDS > Vdsth 時(最大值。 2V)在異狀態診斷時,會觸發反應。 它是一個類比電路,檢測始終在此類比塊中工作。 但是有一定的類比延遲(幾微秒)來將信號傳輸到數字塊。

當數位區塊接收信號時,SPI 將準備並發送到微控制器。 SPI 頻率為 4 兆赫,因此非常快。 因此,沒有真正的刷新週期進行檢測

 

謝謝你!

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2 回應
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親愛的 @bennieliu

美好的一天!

感謝您在 Infineon 社群中發布您的查詢。

 

1.是的,高側 MOSFET 的 DS 電壓由 DS OV 比較器持續監控。 根據來自 DS OV 比較器的 SH1 和 SH2 電壓,在離狀態診斷中識別故障狀態。 請參閱離境診斷應用說明。

申請注意事項鏈接:

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Z8F64770633_TLE9210x_Off_State_Diagnostic-ApplicationNotes-v0...

 

二.是的,當 VDS > Vdsth 時(最大值。 2V)在異狀態診斷時,會觸發反應。 它是一個類比電路,檢測始終在此類比塊中工作。 但是有一定的類比延遲(幾微秒)來將信號傳輸到數字塊。

當數位區塊接收信號時,SPI 將準備並發送到微控制器。 SPI 頻率為 4 兆赫,因此非常快。 因此,沒有真正的刷新週期進行檢測

 

謝謝你!

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親愛的維奈:

感謝您的大力支持!

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