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我想將 EVAL-M7-LVMOS-INV 上的六個 MOSFET 更換為新部件 FDD86367,以獲得更多功率。

CAN 在 MCEWizzard 中計算該新 MOSFET 的新參數?

必須調整哪些參數?

我是否需要更改 EVAL 板上的閘極驅動電路以適應 FDD86367?

謝謝你!

1 解決方案
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你好, @n6xb 

請參閱以下文件第 4.1 節:

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Gate_drive_for_power_MOSFETs_in_switchtin_applications-Applic...

根據允許的峰值閘極電流,必須選擇電阻器 Rg。

有關突波吸收電路設計的資訊,請參閱以下文件:

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-MOSFET_OptiMOS_simple_design_techniques_for_optimizing_synchr...

如果您需要進一步的幫助,請告訴我。

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6 回應
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你好, @n6xb 

1. 對於控制板,MCE 嚮導參數不依賴於 MOSFET 參數。

2.我們看到,MOSFET 部分不是來自英飛凌。 我們無法針對非 Infineon 裝置所需的閘極驅動器電路建議最佳實務。 有關門電路要求的更多信息,請聯繫 Onsemi 的技術支持。

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你好, @n6xb 

除了我之前的評論之外,我還想建議英飛凌部件 IPD046N08N5 作為您應用的替代產品。

https://www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/n-channel/ipd046n08n5/

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感謝您的建議和建議! 是的,IPD046N08N5 非常適合我的應用。有了這個 MOSFET 是否有必要優化每個 MOSFET 上的離散閘極驅動器電路? 這個計算 CAN 進行?這是否以任何方式影響 MCE 嚮導? 謝謝你!

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你好, @n6xb 

對於選擇的 MOSFET,需要設計柵極電阻和緩衝吸收電路(如果需要)。 不要讓我知道,如果你需要在選擇門電路無源組件的幫助。

沒有改變需要在 MCE 嚮導關於使用的 MOSFET 進行。 MOSFET 的選擇會影響硬體設計考量 (閘極驅動器電路)。 MOSFET 的選擇不會影響通過軟件輸入的參數。

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感謝您的協助!

是的,您CAN 建議一下門電路無源元件的選擇嗎?這將不勝感激。

謝謝你!

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你好, @n6xb 

請參閱以下文件第 4.1 節:

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Gate_drive_for_power_MOSFETs_in_switchtin_applications-Applic...

根據允許的峰值閘極電流,必須選擇電阻器 Rg。

有關突波吸收電路設計的資訊,請參閱以下文件:

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-MOSFET_OptiMOS_simple_design_techniques_for_optimizing_synchr...

如果您需要進一步的幫助,請告訴我。

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