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女士们、先生们,


我们正在使用 IR2103SPBF 来实现带有两个 N 沟道 MOSFET 的欧姆/电感负载的图腾柱舞台。 到目前为止,效果很好。 但是,我们注意到一种可以重现的行为,这引起了我们的一些担忧。 IR2103 通过微控制器或函数发生器“拉低”输入电压。 一旦系统关闭并短暂地再次开启,两者都会同时进行低至两伏以下或更低的电压测试。

如果我们关闭系统电压几秒钟,然后再次打开, EVAL_BDPS_DRIVER 就会显示这种行为。 看起来 HIN 和 /LIN 输入不再是高阻抗,甚至不会对微控制器或函数发生器造成负载。 我们在示波器的帮助下记录了这种行为,并想展示我们的电路以及所附的电路图部分,询问你是否知道问题或者你是否知道这种行为是否可以通过外部电路来补救 = > e.g. 开启/重置时所有电容器的受控放电?

让我们把整个系统关掉更长一段时间 > 20 秒然后再把它打开。 系统正确重启,微控制器和函数发生器的逻辑电平不受影响。

以下是我们的边界条件:

Vcc = 12 V(用于IR2103电源的降压/升压转换器)
Vlogic = 3.4 V(微控制器和系统中的所有其他IC)
所有器件的 GND 电位相同
Vtotem_pole = 11.8 V(专为 9 V 至 30 V 设计)图腾柱电源 (MOSFET) = > 所有测试均采用 11.8 V

范围:

频道 1 = > yellow = > 输出图腾柱

通道 2 = > green = > 来自函数生成器的输入

通道 4 = > blue = > 来自微控制器的输入

 

亲切的问候

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/Gate-Driver-ICs/IR2103-Fault-behaviour-with-short-voltage-interruption-gt-Inputs-HIN-and-LIN/td-p/687575

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亲爱的 @VGS_MLN

来自英飞凌的问候。

据我了解,在您所看到并通知我们的情况下,您的降压/升压EVAL_NLM0011_DC_RE EVAL_NLM0011_DC_RE并未调节栅极EVAL_BDPS_DRIVER的电压。

同时,您的微控制器通过轻微未调节的EVAL_NLM0011_DC_RE EVAL_NLM0011_DC_RE输出通电,或者可能与其他源一起工作,可以生成 PWM 脉冲来门控EVAL_BDPS_DRIVER以操作半桥。

如果我的理解有误,请指正。

在这种情况下,请在从控制器/函数发生器到半桥的 PWM 发生过程中保持一定的延迟,直到降压/升压转换器调节好刚性电压。

我希望这样能解决问题。

谢谢。

 

最诚挚的问候,

Siva Naga Malleswararao。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/Gate-Driver-ICs/IR2103-Fault-behaviour-with-short-voltage-interruption-gt-Inputs-HIN-and-LIN/m-p/688409

在原帖中查看解决方案

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亲爱的 @VGS_MLN

来自英飞凌的问候。

我明白这个问题。 但我对你的电路并不完全了解。

通过查看您的波形,我不明白为什么函数发生器和微控制器都连接到 EVAL_BDPS_DRIVER IC。

此外,您还可以提及 EVAL_BDPS_DRIVER IC 的工作开关频率。

同时我观察到微控制器的信号频率和图腾柱信号频率都不匹配。 你能解释一下为什么会这样吗?

在我看来, EVAL_BDPS_DRIVER IC 从不降低源极电源,因为它具有用于 HIN 和 LIN 引脚的内部高电阻

SivaBommadevara_0-1706780392091.png

请分享您的测试设置的完整原理图,包括 EVAL_BDPS_DRIVER IC。

 

谢谢。

最诚挚的问候,

Siva Naga Malleswararao

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/Gate-Driver-ICs/IR2103-Fault-behaviour-with-short-voltage-interruption-gt-Inputs-HIN-and-LIN/m-p/687719

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测试电路

Test_Circuit.png

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/Gate-Driver-ICs/IR2103-Fault-behaviour-with-short-voltage-interruption-gt-Inputs-HIN-and-LIN/m-p/687746

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你好席尔瓦·纳加,

我们有 >10 个图腾柱输出级(超过 10 个 IR2103)。 作为测试,我们解耦了一个级并使用函数发生器对其进行控制,另一级 > 10 使用微控制器(PWM 输出)进行控制。

我还假设 HIN 和 /LIN 输入的阻抗非常高,不会影响信号。 不幸的是,当我们将微控制器切换到高强度模式 (GPIO) 时,电压也会变化 +0.3 V。 这意味着,如果我们增加信号 POWER_DRILL2GO (更高的电流),则在重现错误的情况下,输入端的电压会增加。 在我看来,输入阻抗没有应有的那么高。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/Gate-Driver-ICs/IR2103-Fault-behaviour-with-short-voltage-interruption-gt-Inputs-HIN-and-LIN/m-p/687742

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亲爱的 @VGS_MLN

来自英飞凌的问候。

根据所提供的信息,

在我看来,输入肯定与高阻抗相关。

但是,由于输入端有多个电路(如上所述 > 10)连接到微控制器。

这意味着IC的所有输入都处于并联状态,表现为低阻抗,并且可能处于微控制器容量的边界状态。

我建议你在所有 IC 的每个 HIN 和 LIN 上使用高串联电阻(以 10 千欧姆计)将解决你的问题。

谢谢。

最诚挚的问候,

Siva Naga Malleswararao

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/Gate-Driver-ICs/IR2103-Fault-behaviour-with-short-voltage-interruption-gt-Inputs-HIN-and-LIN/m-p/687851

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亲爱的 @SivaBommadevara

当然,我们 MULTICH_CONNECT_PCB 还没有将所有MOSFET EVAL_BDPS_DRIVER 并联在微控制器的一个GPIO上。 每个阶段都有自己的 GPIO,GPIO 分布在微控制器的多个端口(Axx、Bxx、Cxx、Dxx、Dxx...)上。 此外,GPIO在高强度模式下可以 EVAL_100W_DRIVE_CFD2 几毫安的电流。 那不是问题。

外部连接的函数生成器也证实了这一点。 这是完全独立和自给自足的。 只有 GND 参考电位是相同的。 这不可能是原因。

你还有其他建议吗? 这种现象仅在短暂关闭并再次开启时发生。 我也很乐意包括缓冲电容器的电压。

 

亲切的问候

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/Gate-Driver-ICs/IR2103-Fault-behaviour-with-short-voltage-interruption-gt-Inputs-HIN-and-LIN/m-p/687873

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我们发现MOSFET 的POWER_DRILL2GOEVAL_BDPS_DRIVER 电源不稳定。微控制器中的延迟可确保在降压/升压转换器正确为 IR2103 供电之前不会切换 PWM 输出。 目前正在 TESTBOARD_150PC_OUT进行进一步调查。

降压/升压转换器提供足够的电流(1 A)来为MOSFET EVAL_BDPS_DRIVER供电。 然后是缓冲电解电容器。 最多 3 或 4 个图腾柱同时运行。

但前提是它在控制范围内工作并受到调节。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/Gate-Driver-ICs/IR2103-Fault-behaviour-with-short-voltage-interruption-gt-Inputs-HIN-and-LIN/m-p/687931

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亲爱的 @VGS_MLN

来自英飞凌的问候。

据我了解,在您所看到并通知我们的情况下,您的降压/升压EVAL_NLM0011_DC_RE EVAL_NLM0011_DC_RE并未调节栅极EVAL_BDPS_DRIVER的电压。

同时,您的微控制器通过轻微未调节的EVAL_NLM0011_DC_RE EVAL_NLM0011_DC_RE输出通电,或者可能与其他源一起工作,可以生成 PWM 脉冲来门控EVAL_BDPS_DRIVER以操作半桥。

如果我的理解有误,请指正。

在这种情况下,请在从控制器/函数发生器到半桥的 PWM 发生过程中保持一定的延迟,直到降压/升压转换器调节好刚性电压。

我希望这样能解决问题。

谢谢。

 

最诚挚的问候,

Siva Naga Malleswararao。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/Gate-Driver-ICs/IR2103-Fault-behaviour-with-short-voltage-interruption-gt-Inputs-HIN-and-LIN/m-p/688409

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