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SIC MOS的Vgs会漂移的问题

SIC MOS的Vgs会漂移的问题

luck_gfb
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上次听ROHM的原厂FAE讲,SIC MOS的材料本身原因,在VGS负电压过高时门极开启电压会慢慢发生变化,最终导致炸机。有没有人对此研究很深的讲解一下。不然大家都不敢用了。

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