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你好,

是否可以對晶晶"體與"二極體的傳導損失進行排名。 與 IGBT 與 SiC-MOSFET 相比(例如: SiC-MOSFET 的傳導損耗比晶體比二極體更高)? 還是每個組件都不同,您必須自行計算每個組件?

如果可以對傳導損耗進行排名,每個損耗之間是否有特定的值(例如: 晶體損耗比二極體損失高 2 倍)?

感謝您的幫助!

最良好的祝愿

1 解決方案
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親愛的 @SchererF,
來 自 英菲尼昂的問候,感
謝 您在英菲尼昂社區發布您的查詢。

在功率電子設備之間對傳導損耗進行排名並不容易。
這取決於多個因素,例如工作電流,工作電壓和所使用的應用。


如果您有任何其他疑問,請告訴我們。

最好的問候,
桑托什·庫馬爾



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1 回應
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親愛的 @SchererF,
來 自 英菲尼昂的問候,感
謝 您在英菲尼昂社區發布您的查詢。

在功率電子設備之間對傳導損耗進行排名並不容易。
這取決於多個因素,例如工作電流,工作電壓和所使用的應用。


如果您有任何其他疑問,請告訴我們。

最好的問候,
桑托什·庫馬爾



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