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EVAL-M7-LVMOS-INVの6つのMOSFETを新しい部品に変更FDD86367、電力を増やしたいと思います。

MCEWizzardでこの新しいMOSFETの新しいパラメータを計算する CAN にはどうすればよいですか?

どのパラメータを調整する必要がありますか?

また、FDD86367に対応するためにEVALボードのゲート駆動回路を変更する必要がありますか?

ありがとうございました!

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1 解決策
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こんにちは @n6xb 

次のドキュメントのセクション4.1を参照してください。

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Gate_drive_for_power_MOSFETs_in_switchtin_applications-Applic...

許容ピークゲート電流に基づいて、抵抗Rgを選択する必要があります。

スナバ回路の設計については、以下のドキュメントを参照してください。

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-MOSFET_OptiMOS_simple_design_techniques_for_optimizing_synchr...

さらにサポートが必要な場合はお知らせください。

よろしく

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6 返答(返信)
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こんにちは @n6xb 

1. 制御ボードの場合、MCEウィザードのパラメータはMOSFETパラメータに依存しません。

2. MOSFETの部品はインフィニオン製ではないことがわかります。 インフィニオン以外のデバイスに必要なゲートドライバ回路のベストプラクティスを提案することはできません。 ゲート回路の要件の詳細については、Onsemiのテクニカルサポートにお問い合わせください。

よろしく

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こんにちは @n6xb 

以前のコメントに加えて、インフィニオンの部品 IPD046N08N5 をアプリケーションの代替製品として提案したいと思います。

https://www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/n-channel/ipd046n08n5/

よろしく

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あなたのアドバイスや提案をありがとう! はい、IPD046N08N5私のアプリケーションではうまくいくでしょう。 このMOSFETでは、各MOSFETのディスクリートゲートドライバ回路を最適化する必要がありますか? この計算はどのように CAN ? そして、これはMCEウィザードに何らかの影響を与えますか? ありがとうございました!

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こんにちは @n6xb 

選択するMOSFETについては、ゲート抵抗と必要に応じてスナバ回路を設計する必要があります。 ゲート回路の受動部品の選択についてサポートが必要な場合はお知らせください。

使用する MOSFET に関して MCE ウィザードで変更する必要はありません。 MOSFETの選択は、ハードウェア設計上の考慮事項(ゲートドライバ回路)に影響します。 MOSFETの選択は、ソフトウェアを介して入力されたパラメータには影響しません。

よろしく

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ご協力ありがとうございます!

はい、ゲート回路の受動部品の選択についてアドバイス CAN お願いします。 それは大歓迎です。

ありがとうございました!

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こんにちは @n6xb 

次のドキュメントのセクション4.1を参照してください。

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Gate_drive_for_power_MOSFETs_in_switchtin_applications-Applic...

許容ピークゲート電流に基づいて、抵抗Rgを選択する必要があります。

スナバ回路の設計については、以下のドキュメントを参照してください。

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-MOSFET_OptiMOS_simple_design_techniques_for_optimizing_synchr...

さらにサポートが必要な場合はお知らせください。

よろしく

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