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ゲートドライバーIC フォーラムのディスカッション

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シグナルインテグリティ解析用のTLE9180D31QKXUMA1のIBISモデルの入手方法smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/Power-Management-ICs/TLE9180D31QKXUMA1-IBIS-Model/td-p/685869 Show More
Ken_Nzk
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電流センスISPx/ISNx端子ですが、ノイズに対する対策をしたく、こちらの端子につきましてアプリケーションノート等ありましたら教えてください。

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2EDB9259Y、2EDB8259F、2EDR9259X、2EDR8259X、2EDR8259Hこれらの製品で IGBT を駆動できますか? IGBT 絶縁ゲートEVAL_BDPS_DRIVERと MOSFET 絶縁ゲートEVAL_BDPS_DRIVERの違いは何ですか? 他社の同様の製品を調... Show More
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親愛なるコミュニティ、 私は現在、データシートの1ページ目に概説されているように、2EDF8275F集積回路のテスト回路の構築に取り組んでいます。 コンデンサと抵抗器の標準値を次のように選択しました。 C_VDDA = C_VDDB = 1uF R_g1 = R_g2 = 4オーム ブートストラッ... Show More
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下記ユーザーガイドp.20のFigure 13にてゲート抵抗がHigh側とLow側で1Ω異なっていますが、何か理由はございますでしょうか? 同じくFigure 13を見ると、SiCモジュールのLow側とゲートドライバのCOM間が1Ωで繋がれていますが、 これはそのことと関係しておりますでしょうか? ... Show More
JiKo_85813
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下記ユーザーガイドp.20 "3.1.4 Overcurrent Protection"の記載の通りに V_ITRIP=0.5V, R19=1kΩ, R20=11.3kΩ, Rshunt=10mΩで計算しましても、 Iocpは25.2Aではなく、23.17Aになりますが、何か認識に間違いはございます... Show More
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皆さん このIR2103SPBFを用いて、2つのNチャネルMOSFETでオーミック/誘導性負荷のトーテムポールステージを実現しています。 これは今のところ非常にうまくいっています。 しかし、再現可能な動作に気付き、懸念を抱いています。 IR2103 は、マイクロコントローラまたはファンクション ジェ... Show More
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1ED010I12-F2を使用してSiC MOSFET(C3M0075120D)を駆動した場合、下図の赤い波形に示すように、バス電圧(降圧回路)が高くなるほど、ピーク発振電流が大きくなるゲート電流発振の問題が発生しました。バス上 電圧が180Vの場合、発振電流は3Aに達します(チャンネル4の緑色の波... Show More
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Tle7189F チップの SCDL 電圧設定範囲は 0.7 ~ 2.5V ですが、実際に設計されたチップの短絡保護電流の計算方法、または設定する推奨電圧は何ですか? (特定の外付け MOSFET の短絡検出のドレイン・ソース間電圧監視は直ちに有効になります。短絡検出レベルは、SCDL ピンの電圧設... Show More
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こんにちは。 IR2104またはIR2184チップDIP8を探しています。 写真と価格 TLE9243QK_BASE_BOARD オリジナル製品を選ぶのを手伝ってください。 https://www.aliexpress.com/item/1005006418154585.html https://www.aliexpress.com/item/1005002618136235.html... Show More
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すべてのスイッチにはドライバーが必要です - 正しいドライバーの選択により違いを生み出すことができます。500種類以上あるEiceDRIVER™ゲートドライバーICの中から、どんなパワースイッチにも、どんなアプリケーションにも対応できる最適なドライバーを見つけましょう。コミュニティがお手伝いをします。