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1ED010I12-F2を使用してSiC MOSFET(C3M0075120D)を駆動した場合、下図の赤い波形に示すように、バス電圧(降圧回路)が高くなるほど、ピーク発振電流が大きくなるゲート電流発振の問題が発生しました。バス上 電圧が180Vの場合、発振電流は3Aに達します(チャンネル4の緑色の波形がゲート電圧波形です)が、このIGBTのゲートドライバが駆動できないためなのかお聞きしたいです。 SiC MOSFET。また、理論上の最大ゲート電流 = 駆動電圧 / 内部抵抗 + 外部抵抗 = 20/9 + 6 = 1.3A となり、理論値を大幅に上回っていますので、ゲート電流の発振や、電流が理論値を超える理由。

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こんにちは。このドライバ チップは、SiC MOSFET の駆動に使用できます。 Infineon には Eicedriver に関する技術文書があり、7 ページにゲート発振に関する内容があります。理論的に計算されたゲート ピーク電流には発振が考慮されていないため、発振によって発生するピーク値は計算値より大きくなければなりません。

ゲート発振は寄生インダクタンスとゲート容量によって引き起こされ、次の方法で最適化できます。

1. PCB レイアウトを最適化して寄生インダクタンスを低減し、

2. または、より大きな Rgon を使用しますが、効率が低下します。

 

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こんにちは。このドライバ チップは、SiC MOSFET の駆動に使用できます。 Infineon には Eicedriver に関する技術文書があり、7 ページにゲート発振に関する内容があります。理論的に計算されたゲート ピーク電流には発振が考慮されていないため、発振によって発生するピーク値は計算値より大きくなければなりません。

ゲート発振は寄生インダクタンスとゲート容量によって引き起こされ、次の方法で最適化できます。

1. PCB レイアウトを最適化して寄生インダクタンスを低減し、

2. または、より大きな Rgon を使用しますが、効率が低下します。

 

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ご返信いただきまして誠にありがとうございます。提供していただいた技術文書は非常に有意義です。でもまだ聞きたい

① 発振の波高値(3A)がドライバチップの電流出力能力(2A)を超えた場合、ドライバチップの寿命に影響はありますか?

② ここのドライブ回路はパワーループを追加しなくても発振問題はありませんが、パワーループを追加すると発振してしまいます、パワーループの寄生インダクタンスが原因のような気がしますので、ケルビンピン付きのスイッチング素子を使うと発振します。良くならないでしょうか?

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/%E9%97%A8%E7%BA%A7%E9%A9%B1%E5%8A%A8%E5%99%A8/IED020I12-F2%E8%BF%99%E6%AC%BEigbt%E6%A0%85%E6%9E%81%E9%A9%B1%E5%8A%A8%E5%99%A8%E6%98%AF%E5%90%A6%E5%8F%AF%E4%BB%A5%E9%80%82%E7%94%A8%E4%BA%8E%E9%A9%B1%E5%8A%A8SiC-MOSFET/m-p/679345

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発振のテストポイントは寄生インダクタンスとMOSFETのゲートの間であり、この発振電流はドライバチップによって生成されるものではなく、ドライバチップに逆流することはありません。ケルビンソースを備えた MOSFET を使用すると、発振が改善されます。

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